Anillo de cubierta de oblea de grafito recubierto de TaC

Ventajas técnicas principales

• Resistencia química excepcional: Diseñado para resistir gases de grabado agresivos (H₂, NH₃, HCl) a temperaturas entre 1200 °C y 2000 °C.

• Coincidencia de expansión térmica: Nuestro proceso CVD patentado garantiza que el recubrimiento TaC tenga un CTE (coeficiente de expansión térmica) optimizado que coincida con el sustrato de grafito, lo que evita que se pele o se agriete durante el rápido ciclo térmico.

• Control superior de partículas: Al sellar completamente el grafito poroso, la capa de TaC elimina el desprendimiento de partículas, lo que aumenta directamente el rendimiento de la oblea y reduce el tiempo de inactividad del reactor.

• Vida útil extendida: Superficie altamente resistente al desgaste que resiste ciclos de limpieza repetidos, lo que ofrece un costo de propiedad (CoO) significativamente menor en comparación con alternativas sin recubrimiento o con recubrimiento de SiC.

Recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) en una sección transversal microscópica

Parámetro del producto del anillo de cubierta de oblea de grafito recubierto de TaC

¿Por qué elegir nuestros anillos de cubierta TaC?

Entendemos que en la fabricación de semiconductores, confiabilidad equivale a rentabilidad. Nuestros anillos de cubierta de oblea de grafito recubiertos con TaC se prueban por lotes para determinar la densidad y pureza del recubrimiento. Ya sea que esté realizando la transición de la producción de obleas de 6 a 8 pulgadas u optimizando un proceso MOCVD de alta temperatura, nuestros anillos brindan el blindaje térmico y químico necesario para una epitaxia de clase mundial.