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Obleas piezoeléctricas PZT (PZT sobre Si/SOI)
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Obleas piezoeléctricas PZT (PZT sobre Si/SOI)

A medida que crece la demanda de transductores MEMS de alta sensibilidad y baja potencia con la expansión de las comunicaciones 5G, los dispositivos médicos de precisión y los dispositivos portátiles inteligentes, nuestros PZT en obleas de Si/SOI proporcionan una solución de material fundamental. Utilizando procesos avanzados de deposición de películas delgadas, como Sol-gel o pulverización catódica, logramos una consistencia excepcional y un rendimiento piezoeléctrico superior en sustratos de silicio. Estas obleas sirven como núcleo fundamental para la conversión de energía electromecánica.

1. Arquitectura Técnica

Nuestras obleas cuentan con una sofisticada estructura de pila de múltiples capas diseñada para garantizar una adhesión, conductividad y respuesta piezoeléctrica óptimas durante el procesamiento complejo de MEMS:

 ●Electrodo superior (capa clave): Pt (Platino).

Capa piezoeléctrica (capa central): PZT.

Capas Intermedias: Incluye capa amortiguadora, electrodo inferior y capa de adhesión para optimizar la orientación del grano y la estabilidad estructural.

sustrato: Compatible con obleas de Si o SOI.


PZT Piezoelectric Ceramic Wafers Physical Structure

2. Garantía de calidad y análisis de microestructura

Aseguramos una alta confiabilidad a través de una rigurosa caracterización técnica:

Typical Stack of PZT Piezoelectric Ceramic Wafers


 ●Análisis SEM: Las imágenes de microscopía electrónica de barrido (SEM) revelan una morfología de superficie densa y sin grietas con una distribución uniforme del tamaño de grano, ideal para aplicaciones MEMS de alta confiabilidad.

 ●Caracterización XRD: Los patrones de difracción de rayos X (DRX) confirman la formación de fase de perovskita pura con una fuerte orientación preferida (100), lo que garantiza coeficientes de rendimiento piezoeléctrico máximos.


3. Especificaciones Técnicas (Características)

Características del PZT
Policristal PZT
Constante piezoeléctrica d31
200 pC/N
Coeficiente piezoeléctrico e31
-14 C/m²
Curie temperatura
X℃
Tamaños de oblea
4 / 6 / 8 pulgadas disponibles


4. Aplicaciones principales


 ● Transductores ultrasónicos micromecanizados piezoeléctricos (pMUT): Conjuntos miniaturizados de alta frecuencia para sensores de huellas dactilares, reconocimiento de gestos y radares ultrasónicos para automóviles.

 ● Comunicación: Clave para fabricar filtros FBAR o SAW en 5G/6G para conseguir mayor ancho de banda y menor pérdida de inserción.

 ● MEMS acústicos: Proporciona una potente respuesta transitoria para altavoces MEMS y mejora la relación señal-ruido (SNR) para micrófonos MEMS.

 ● Control de fluidos de precisión: Vibración de alta velocidad a través del modo d31 para un control preciso a escala de nanolitros del volumen de gotas en los cabezales de impresión de inyección de tinta.

 ● Medicina y belleza (microbombeo): Impulsa nebulizadores médicos o bombas ultrasónicas cosméticas con alta confiabilidad y tamaño compacto.


5. Servicios de personalización

Además de la deposición estándar en obleas de Si, también ofrecemos servicios de deposición personalizados:

 ●Personalización de película y espesor: Deposición de tipos de película específicos y espesores personalizados según los requisitos de diseño.

 ●Fundición OEM: Aceptación de obleas suministradas por los clientes para el crecimiento de películas delgadas piezoeléctricas de alta calidad.

 ●Soporte de sustrato SOI: Deposición especializada sobre obleas SOI con las siguientes especificaciones:


Oblea de sustrato SOI
Tamaño
Resistencia superior al Si
espesor
dopante
Capa de caja
6 pulgadas, 8 pulgadas
> 5000 ohmios/cm




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