Obleas de nitruro de aluminio (AlN)

1. Características y ventajas clave

• Banda prohibida ultra ancha ≈ 6,2 eV: la más alta entre los materiales semiconductores convencionales

• Alta conductividad térmica ≈ 320 W/m·K para una disipación de calor eficiente

• Excelente aislamiento eléctrico (>10¹³ Ω·cm) y alto campo de ruptura (12–15 MV/cm)

• Buena combinación de red y expansión térmica con GaN: ideal para heteroestructuras de GaN-sobre-AlN

• Opciones de baja densidad de dislocación con control estricto de la curva de oscilación HR-XRD

• Al-face CMP (Ra ≤ 0,5 nm) y N-face MP para superficies preparadas para epi

• Múltiples tamaños y grados de calidad (P/R/D) para satisfacer los requisitos de producción e investigación.

2. Aplicaciones típicas

• Dispositivos RF de alta potencia para radar y comunicaciones 6G

• Electrónica de potencia de alto voltaje para redes, centros de datos y vehículos eléctricos

• LED de luz ultravioleta profunda (UVC) y diodos láser

• Crecimiento epitaxial de GaN-on-AlN y dispositivos avanzados de heteroestructura

• Componentes semiconductores de alta temperatura, alta frecuencia y entornos hostiles

3. Tamaños disponibles y grados de calidad

VeTek ofrece obleas de AlN en los siguientes formatos estándar. Los tamaños y especificaciones personalizados se pueden discutir a pedido.

• Sustratos cuadrados de 10 × 10 mm

• Obleas de 1 pulgada (25,4 mm)

• Obleas de 2 pulgadas (50,8 mm)

Grados de calidad: grado P (Producto), grado R (Investigación), grado D (Experimental), diferenciados principalmente por la curva de oscilación FWHM HR-XRD y la calidad general del cristal.

4. Especificaciones técnicas clave

Parámetros comunes en todos los tamaños (valores típicos; dependientes del grado, cuando se indique):

Tolerancias geométricas específicas del tamaño:

• 10×10 mm: Longitud lateral 10 mm ± 0,5 mm; TTV ≤ 15 µm; Arco ≤ 15 μm

• 1 pulgada: Diámetro 25,4 mm ± 0,5 mm; Área utilizable ≥ 90%; TTV ≤ 20 µm; Arco ≤ 20 μm; Plano primario (10-10) ± 5°, longitud 8 mm ± 1 milímetro

• 2 pulgadas: Diámetro 50,8 mm ± 0,5 mm; Área utilizable ≥ 90%; TTV ≤ 30 µm; Arco ≤ 30 μm; Longitud plana primaria 16 mm ± 2 mm

5. ¿Por qué elegir las obleas VeTek AlN?

Como proveedor especializado de materiales y componentes semiconductores avanzados, VeTek Semiconductor ofrece:

• Obleas monocristalinas de AlN de alta calidad con calidad de cristal controlada y superficies preparadas para epi

• Múltiples opciones de tamaño y calidad para respaldar tanto la producción de dispositivos como los programas de investigación

• Soluciones complementarias de obleas y sustratos bajo la cartera de materiales semiconductores de VeTek

• Soporte técnico para la selección de materiales y combinación de procesos.

Nuestras obleas de AlN ayudan a los clientes a acelerar el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos de RF de alta potencia, potencia de alto voltaje y UV profundo que exigen la combinación única de banda prohibida ultra ancha, alta conductividad térmica y compatibilidad con GaN que ofrece el nitruro de aluminio.