Horno de crecimiento de cristales de SiC con calentamiento por resistencia de gran tamaño

Parámetros técnicos

Ventajas principales

 ● Compatibilidad de tamaño completo

Permite el crecimiento estable de cristales de carburo de silicio de 6, 8 y 12 pulgadas, totalmente compatible con sistemas de materiales conductores, semiaislantes y de tipo N. Cubre las necesidades de producción de productos con diferentes especificaciones y se adapta a diversos escenarios de aplicación.

● Fuerte estabilidad del proceso

Los cristales de 8 pulgadas tienen una excelente consistencia de politipo 4H, una forma de superficie estable y una alta repetibilidad; La tecnología de crecimiento de cristal de carburo de silicio de 12 pulgadas ha completado la verificación con una alta viabilidad de producción en masa.

● Baja tasa de defectos de cristal

Mediante un control preciso de la temperatura, la presión y la potencia, los defectos del cristal se reducen eficazmente con indicadores clave que cumplen con los estándares: EPD=1435 ea/cm², BPD=381 ea/cm², TSD=0 ea/cm² y TED=1054 ea/cm². Todos los indicadores de defectos cumplen con los requisitos de calidad del cristal de alta calidad, lo que mejora significativamente el rendimiento del lingote.

● Costos operativos controlables

Tiene el menor consumo de energía entre productos similares. Los componentes centrales (como los escudos de aislamiento térmico) tienen un ciclo de reemplazo largo de 6 a 12 meses, lo que reduce los costos operativos integrales.

● Comodidad de conectar y usar

Paquetes de recetas y procesos personalizados basados ​​en las características del equipo, verificados a través de producción a largo plazo y de lotes múltiples, lo que permite la producción inmediata después de la instalación.

● Seguridad y confiabilidad

Adopta un diseño especial de chispa antiarco para eliminar posibles riesgos de seguridad; Las funciones de monitoreo en tiempo real y alerta temprana evitan de manera proactiva los riesgos operativos.

● Excelente rendimiento de vacío

Los indicadores finales de tasa de aumento de presión y vacío superan los niveles líderes a nivel internacional, lo que garantiza un entorno limpio para el crecimiento de cristales.

● Operación y mantenimiento inteligentes

Cuenta con una interfaz HMI intuitiva combinada con un registro de datos integral, que admite funciones de monitoreo remoto opcionales para una gestión de producción eficiente y conveniente.

Visualización visual del rendimiento principal

Curva de precisión del control de temperatura

Precisión del control de temperatura del horno de crecimiento de cristales ≤ ±0,3°C; Resumen de la curva de temperatura

Gráfico de precisión del control de presión

Precisión del control de presión del horno de crecimiento de cristales: 1,0 Torr, Precisión del control de presión: 0,001 Torr

Precisión de estabilidad de potencia

Estabilidad y consistencia entre hornos/lotes: la precisión de la estabilidad de la potencia.

En el estado de crecimiento del cristal, la precisión del control de potencia durante el crecimiento estable del cristal es de ±0,15 %.

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