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El susceptor de obleas recubierto de CVD SIC de Veteksemicon es una solución de vanguardia para procesos epitaxiales semiconductores, que ofrece pureza ultra alta (≤100ppb, certificada ICP-E10) y una estabilidad térmica/química excepcional para el crecimiento resistente a la contaminación de las capas EPI basadas en EPI basadas en EPI. Diseñado con tecnología CVD de precisión, admite obleas de 6 "/8"/12 ", garantiza un estrés térmico mínimo y soporta temperaturas extremas de hasta 1600 ° C.

Nuestro susceptor planetario recubierto de SIC es un componente central en el proceso de alta temperatura de fabricación de semiconductores. Su diseño combina sustrato de grafito con recubrimiento de carburo de silicio para lograr una optimización integral del rendimiento del manejo térmico, la estabilidad química y la resistencia mecánica.

Nuestras placas de cerámica SIC porosa son materiales cerámicos porosos hechos de carburo de silicio como componente principal y procesados ​​por procesos especiales. Son materiales indispensables en la fabricación de semiconductores, deposición de vapor químico (CVD) y otros procesos.

Nuestro anillo de sellado recubierto de SIC para la epitaxia es un componente de sellado de alto rendimiento basado en compuestos de grafito o carbono-carbono recubierto con carburo de silicio de alta pureza (sic) por depósito de vapor químico (CVD), que combina la estabilidad térmica de grafito con la resistencia ambiental extrema de SIC y está diseñada para el equipo epitaxial semiconductor (E.G.

Nuestro barco de cuarzo de alta pureza está hecho de cuarzo fundido (contenido de SIO₂ ≥ 99.99%). Con su excelente resistencia a entornos extremos, un bajo coeficiente de expansión térmica y un ciclo de vida largo, se ha convertido en un consumible clave irremplazable en los semiconductores y las nuevas industrias energéticas.

El anillo de enfoque para el grabado es el componente clave para garantizar la precisión y estabilidad del proceso. Estos componentes se ensamblan con precisión en una cámara de vacío para lograr un mecanizado uniforme de estructuras a nanoescala en la superficie de la oblea a través de un control preciso de la distribución de plasma, la temperatura del borde y la uniformidad del campo eléctrico.