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Grafito poroso recubierto de carburo de tantalio (TaC) para el crecimiento de cristales de SiC
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Grafito poroso recubierto de carburo de tantalio (TaC) para el crecimiento de cristales de SiC

El grafito poroso recubierto de carburo de tantalio VeTek Semiconductor es la última innovación en tecnología de crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC). Diseñado para campos térmicos de alto rendimiento, este material compuesto avanzado proporciona una solución superior para la gestión de la fase de vapor y el control de defectos en el proceso PVT (transporte físico de vapor).

El grafito poroso recubierto de carburo de tantalio VeTek Semiconductor está diseñado para optimizar el entorno de crecimiento de cristales de SiC a través de cuatro funciones técnicas principales:


Filtración de componentes de vapor: La estructura porosa precisa actúa como un filtro de alta pureza, lo que garantiza que solo las fases de vapor deseadas contribuyan a la formación de cristales, mejorando así la pureza general.

Control de temperatura de precisión: El recubrimiento de TaC mejora la estabilidad térmica y la conductividad, lo que permite ajustes más precisos de los gradientes de temperatura locales y un mejor control de las tasas de crecimiento.

Dirección de flujo guiada: El diseño estructural facilita un flujo guiado de sustancias, lo que garantiza que los materiales se entreguen exactamente donde se necesitan para promover un crecimiento uniforme.

Control efectivo de fugas: Nuestro producto proporciona excelentes propiedades de sellado para mantener la integridad y estabilidad de la atmósfera de crecimiento.


Propiedades físicas del recubrimiento TaC.

Propiedades físicas del recubrimiento TaC
Densidad del recubrimiento TaC
14,3 (g/cm³)
Emisividad específica
0.3
Coeficiente de expansión térmica
6.3*10-6/K
Dureza del revestimiento TaC (HK)
2000 Hong Kong
Resistencia
1×10-5Ohmios*cm
Estabilidad térmica
<2500℃
Cambios de tamaño de grafito
-10~-20um
Espesor del recubrimiento
Valor típico ≥20um (35um±10um)

Comparación con el grafito tradicional

Artículo de comparación
Grafito poroso tradicional
Carburo de tantalio poroso (TaC)
Entorno de Si de alta temperatura
Propenso a la corrosión y al desprendimiento.
Estable, casi sin reacción.
Control de partículas de carbono
Puede convertirse en una fuente de contaminación.
Filtración de alta eficiencia, sin polvo.
Vida útil
Corto, requiere reemplazo frecuente
Ciclo de mantenimiento significativamente extendido

Recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) en una sección transversal microscópica

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section


Impacto de la aplicación: Minimización de defectos en el proceso PVT

Optimizing SiC Crystal Quality


En el proceso PVT (transporte físico de vapor), reemplazar el grafito convencional con grafito poroso recubierto de TaC de VeTek aborda directamente los defectos comunes que se muestran en el diagrama:


EEliminación de inclusiones de carbono.: Al actuar como barrera a las partículas sólidas, elimina eficazmente las inclusiones de carbón y reduce los microtubos comunes en los crisoles tradicionales.

Preservar la integridad estructural: Previene la formación de puntos de grabado y microtúbulos durante el crecimiento de monocristales de SiC de ciclo largo.

Mayor rendimiento y calidad: En comparación con los materiales tradicionales, los componentes recubiertos con TaC garantizan un entorno de crecimiento más limpio, lo que da como resultado una calidad del cristal y un rendimiento de producción significativamente mayores.




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