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Las membranas de la cerámica SIC de Veteksemicon son un tipo de membrana inorgánica y pertenecen a materiales de membrana sólida en la tecnología de separación de membrana. Las membranas SIC se disparan a una temperatura superior a 2000 ℃. La superficie de las partículas es lisa y redonda. No hay poros o canales cerrados en la capa de soporte y cada capa. Por lo general, están compuestos por tres capas con diferentes tamaños de poro.

La lechada de pulido CMP (lechada de pulido mecánico químico) es un material de alto rendimiento que se utiliza en la fabricación de semiconductores y en el procesamiento de materiales de precisión. Su función principal es lograr una fina planitud y pulido de la superficie del material bajo el efecto sinérgico de la corrosión química y el esmerilado mecánico para cumplir con los requisitos de planitud y calidad de la superficie a nivel nano. Esperamos su consulta adicional.

Como fabricante chino líder de productos de carbono vidrioso, los crisoles de carbono vidriosos de Veteksemicon se utilizan ampliamente en el campo de fabricación de semiconductores debido a su excelente pureza ultra alta, porosidad cero, antipermeación y excelente resistencia a la corrosión química, y han ganado un alto elogio de los clientes europeos y estadounidenses. Bienvenido a su consulta.

Como fabricante chino líder y proveedor de productos de recubrimiento de carburo de silicio, el portador de obleas recubierto de SIC de Veteksemicon para el grabado juega un papel central irremplazable en el proceso de grabado con su excelente estabilidad de alta temperatura, resistencia a la corrosión sobresaliente y alta conductividad térmica.

El susceptor de obleas recubierto de CVD SIC de Veteksemicon es una solución de vanguardia para procesos epitaxiales semiconductores, que ofrece pureza ultra alta (≤100ppb, certificada ICP-E10) y una estabilidad térmica/química excepcional para el crecimiento resistente a la contaminación de las capas EPI basadas en EPI basadas en EPI. Diseñado con tecnología CVD de precisión, admite obleas de 6 "/8"/12 ", garantiza un estrés térmico mínimo y soporta temperaturas extremas de hasta 1600 ° C.

Nuestro susceptor planetario recubierto de SIC es un componente central en el proceso de alta temperatura de fabricación de semiconductores. Su diseño combina sustrato de grafito con recubrimiento de carburo de silicio para lograr una optimización integral del rendimiento del manejo térmico, la estabilidad química y la resistencia mecánica.