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Calentador de grafito personalizado para zona caliente
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Calentador de grafito personalizado para zona caliente

En la fabricación de semiconductores y el procesamiento avanzado de materiales, la estabilidad y pureza del campo térmico dictan directamente la competitividad central del producto final. VETEK se dedica a la investigación y el desarrollo y la fabricación de sistemas de calentamiento de grafito de alto rendimiento, brindando soluciones confiables para MOCVD, epitaxia de SiC y varios hornos de vacío de alta temperatura.

¿Por qué elegir VETEK?


  ●Uniformidad térmica extrema: Los calentadores VETEK se someten a una simulación y un diseño estructural precisos para garantizar una excelente consistencia de temperatura incluso en entornos extremos de hasta 2200 °C, lo que aumenta eficazmente el rendimiento de las obleas.

  ●Garantía de materiales de alta pureza: Seleccionamos estrictamente grafito isostático de alta pureza, manteniendo el contenido de cenizas en niveles ultrabajos para eliminar la contaminación por iones metálicos a altas temperaturas desde la fuente.

  ●Tecnología de recubrimiento avanzada: Aprovechando las fortalezas principales de VETEK, ofrecemos recubrimientos opcionales de SiC (carburo de silicio). Esto mejora significativamente la resistencia a la oxidación y la corrosión, asegurando una vida útil más larga en ambientes hostiles con gases químicos.

  ●Personalización de precisión: Ya sean estructuras de disco cilíndricas, en espiral o complejas, VETEK proporciona mecanizado de alta precisión basado en sus dibujos técnicos para garantizar un ajuste perfecto con su equipo.

  ●Protección Logística Integral: Reconociendo la naturaleza frágil del grafito, VETEK ha mejorado su sistema de embalaje. Nuestro refuerzo antichoque multicapa garantiza "cero daños" durante el tránsito internacional, eliminando preocupaciones sobre retrasos en la producción.


Campos de aplicación principales

  ●Epitaxia de semiconductores: Componentes centrales de campo térmico para equipos MOCVD (compatibles con modelos convencionales como el K465i).

  ●Crecimiento de cristales de SiC: Control de campo térmico de precisión para el crecimiento de carburo de silicio y otros materiales semiconductores de banda prohibida ancha.

  ●Equipo de vacío de alta temperatura: Ampliamente utilizado en hornos de sinterización al vacío, soldadura fuerte de precisión y equipos de tratamiento térmico de alta gama.

  ●Sustratos para recubrimientos avanzados: Material base ideal para recubrimientos CVD SiC, SiN o SiO.


Especificaciones técnicas

También admitimos materiales personalizados con niveles de pureza más altos para condiciones operativas específicas.


Especificación técnica
Valor de referencia
Densidad aparente
≥1,85 g/cm3
Contenido de ceniza
≤500 ppm
Dureza Shore
≥45
Resistencia específica
≤12 \muΩ⋅m
Resistencia a la flexión
≥40MPa
Fuerza compresiva
≥70MPa
Máx. Tamaño de grano
≤43 \mamá
Coeficiente de expansión térmica (CTE)
≤4,4×10−6/∘C
Especificación técnica
Valor de referencia

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