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Anillo de grafito recubierto de CVD TaC
  • Anillo de grafito recubierto de CVD TaCAnillo de grafito recubierto de CVD TaC

Anillo de grafito recubierto de CVD TaC

El anillo de grafito recubierto de CVD TaC de Veteksemicon está diseñado para satisfacer las demandas extremas del procesamiento de obleas semiconductoras. Utilizando la tecnología de deposición química de vapor (CVD), se aplica un recubrimiento denso y uniforme de carburo de tantalio (TaC) a sustratos de grafito de alta pureza, logrando una dureza, resistencia al desgaste e inercia química excepcionales. En la fabricación de semiconductores, el anillo de grafito recubierto de CVD TaC se usa ampliamente en cámaras MOCVD, de grabado, de difusión y de crecimiento epitaxial, y sirve como componente estructural o de sellado clave para portadores de obleas, susceptores y conjuntos de blindaje. Esperamos su consulta adicional.

Información general del producto

Lugar de origen:
Porcelana
Nombre de marca:
mi rival
Número de modelo:
Anillo de grafito recubierto de CVD TaC-01
Proceso de dar un título:
ISO9001

Términos comerciales del producto


Cantidad mínima de pedido:
Sujeto a negociación
Precio:
Contacto para cotización personalizada
Detalles de empaquetado:
Paquete de exportación estándar
El tiempo de entrega:
Tiempo de entrega: 30-45 días después de la confirmación del pedido
Condiciones de pago:
T/T
Capacidad de suministro:
200 unidades/mes


Solicitud: El anillo recubierto Veteksemicon CVD TaC está especialmente desarrollado paraProcesos de crecimiento de cristales de SiC.. Como componente clave de soporte de carga dentro de la cámara de reacción de alta temperatura, su exclusivo recubrimiento TaC aísla eficazmente la corrosión del vapor de silicio, previene la contaminación por impurezas y garantiza la estabilidad estructural en entornos de alta temperatura a largo plazo, lo que brinda una garantía confiable para obtener cristales de alta calidad.


Servicios que se pueden proporcionar: análisis de escenarios de aplicación del cliente, combinación de materiales, resolución de problemas técnicos.


Perfil de la empresae:Veteksemicon cuenta con 2 laboratorios, un equipo de expertos con 20 años de experiencia en materiales, con capacidades de I+D y producción, pruebas y verificación.


El anillo recubierto Veteksemicon CVD TaC es un consumible central diseñado para la deposición química de vapor a alta temperatura y el crecimiento de cristales de materiales semiconductores avanzados, particularmente carburo de silicio. Utilizamos una tecnología única y optimizada de deposición química de vapor para depositar una sustancia densa y uniforme.recubrimiento de carburo de tantaliosobre un sustrato de grafito de alta pureza. Con una resistencia excepcional a las altas temperaturas, una excelente resistencia a la corrosión y una vida útil extremadamente larga, este producto protege eficazmente la calidad del cristal y reduce significativamente los costos generales de producción, lo que lo convierte en una opción esencial para procesos que requieren estabilidad del proceso y el mayor rendimiento.


Parámetros técnicos:

proyecto
parámetro
Materia prima
Grafito de alta pureza prensado isostáticamente (pureza ≥ 99,99%)
material de revestimiento
Carburo de tantalio
Tecnología de recubrimiento
Deposición química de vapor a alta temperatura
Espesor del recubrimiento
Estándar 30-100 μm (se puede personalizar según los requisitos del proceso)
Recubrimiento purity
≥ 99,995%
Temperatura máxima de funcionamiento
2200°C (atmósfera inerte o vacío)
Aplicaciones principales
Crecimiento de cristales de SiC PVT/LPE, MOCVD y otros procesos CVD de alta temperatura


Ventajas principales del anillo recubierto de TaC CVD mi rival


Pureza y estabilidad incomparables

En el entorno extremo de crecimiento de cristales de SiC, donde las temperaturas superan los 2000 °C, incluso trazas de impurezas pueden destruir las propiedades eléctricas de todo el cristal. NuestroRecubrimiento CVD TaC, con su excepcional pureza, elimina fundamentalmente la contaminación del anillo. Además, su excelente estabilidad a alta temperatura garantiza que el recubrimiento no se descompondrá, volatilizará ni reaccionará con los gases de proceso durante ciclos térmicos y de alta temperatura prolongados, proporcionando un entorno de fase de vapor puro y estable para el crecimiento de cristales.


Excelente corrosión yresistencia a la erosión

La corrosión del grafito por vapor de silicio es la principal causa de fallas y contaminación por partículas en los anillos de grafito tradicionales. Nuestro recubrimiento TaC, con su reactividad química extremadamente baja con el silicio, bloquea eficazmente el vapor de silicio, protegiendo el sustrato de grafito subyacente de la erosión. Esto no solo extiende significativamente la vida útil del anillo en sí, sino que, lo que es más importante, reduce significativamente las partículas generadas por la corrosión y el desconchado del sustrato, mejorando directamente el rendimiento del crecimiento de los cristales y la calidad interna.


Excelente rendimiento mecánico y vida útil

El recubrimiento TaC formado por el proceso CVD tiene una densidad extremadamente alta y una dureza Vickers, lo que lo hace extremadamente resistente al desgaste y al impacto físico. En aplicaciones prácticas, nuestros productos pueden extender la vida útil de 3 a 8 veces en comparación con los anillos de grafito tradicionales o los anillos recubiertos de carbono pirolítico/carburo de silicio. Esto significa menos tiempo de inactividad para el reemplazo y una mayor utilización del equipo, lo que reduce significativamente el costo general de la producción de monocristal.


Excelente calidad de recubrimiento

El rendimiento de un recubrimiento depende en gran medida de su uniformidad y fuerza de unión. Nuestro proceso CVD optimizado nos permite lograr un espesor de recubrimiento altamente uniforme incluso en las geometrías de anillo más complejas. Más importante aún, el recubrimiento forma una fuerte unión metalúrgica con el sustrato de grafito de alta pureza, lo que previene eficazmente el pelado, el agrietamiento o la descamación causados ​​por diferencias en los coeficientes de expansión térmica durante los rápidos ciclos de calentamiento y enfriamiento, lo que garantiza un rendimiento confiable y continuo durante todo el ciclo de vida del producto.


Aval de verificación de cadena ecológica

La verificación de la cadena ecológica de Veteksemicon CVD TaC Coated Ring abarca desde las materias primas hasta la producción, ha pasado la certificación estándar internacional y tiene una serie de tecnologías patentadas para garantizar su confiabilidad y sostenibilidad en los campos de semiconductores y nuevas energías.


Principales campos de aplicación

Dirección de aplicación
Escenario típico
Crecimiento de cristales de SiC
Anillos de soporte central para monocristales de 4H-SiC y 6H-SiC cultivados mediante métodos PVT (transporte físico de vapor) y LPE (epitaxia en fase líquida).
GaN sobre epitaxia de SiC
Un portador o conjunto en un reactor MOCVD.
Otros procesos de semiconductores de alta temperatura.
Es adecuado para cualquier proceso avanzado de fabricación de semiconductores que requiera protección del sustrato de grafito en entornos altamente corrosivos y de alta temperatura.


Para especificaciones técnicas detalladas, documentos técnicos o arreglos de prueba de muestra, por favorpóngase en contacto con nuestro equipo de soporte técnicopara explorar cómo Veteksemicon puede mejorar la eficiencia de su proceso.


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Si tiene consultas sobre recubrimiento de carburo de silicio, recubrimiento de carburo de tantalio, grafito especial o lista de precios, déjenos su correo electrónico y nos comunicaremos con usted dentro de las 24 horas.
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