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DIRECCIÓN
Wangda Road, Ziyang Street, condado de Wuyi, ciudad de Jinhua, provincia de Zhejiang, China
Información general del producto
Lugar de origen:
Porcelana
Nombre de marca:
mi rival
Número de modelo:
Anillo de grafito recubierto de CVD TaC-01
Proceso de dar un título:
ISO9001
Términos comerciales del producto
Cantidad mínima de pedido:
Sujeto a negociación
Precio:
Contacto para cotización personalizada
Detalles de empaquetado:
Paquete de exportación estándar
El tiempo de entrega:
Tiempo de entrega: 30-45 días después de la confirmación del pedido
Condiciones de pago:
T/T
Capacidad de suministro:
200 unidades/mes
Solicitud: El anillo recubierto Veteksemicon CVD TaC está especialmente desarrollado paraProcesos de crecimiento de cristales de SiC.. Como componente clave de soporte de carga dentro de la cámara de reacción de alta temperatura, su exclusivo recubrimiento TaC aísla eficazmente la corrosión del vapor de silicio, previene la contaminación por impurezas y garantiza la estabilidad estructural en entornos de alta temperatura a largo plazo, lo que brinda una garantía confiable para obtener cristales de alta calidad.
Servicios que se pueden proporcionar: análisis de escenarios de aplicación del cliente, combinación de materiales, resolución de problemas técnicos.
Perfil de la empresae:Veteksemicon cuenta con 2 laboratorios, un equipo de expertos con 20 años de experiencia en materiales, con capacidades de I+D y producción, pruebas y verificación.
El anillo recubierto Veteksemicon CVD TaC es un consumible central diseñado para la deposición química de vapor a alta temperatura y el crecimiento de cristales de materiales semiconductores avanzados, particularmente carburo de silicio. Utilizamos una tecnología única y optimizada de deposición química de vapor para depositar una sustancia densa y uniforme.recubrimiento de carburo de tantaliosobre un sustrato de grafito de alta pureza. Con una resistencia excepcional a las altas temperaturas, una excelente resistencia a la corrosión y una vida útil extremadamente larga, este producto protege eficazmente la calidad del cristal y reduce significativamente los costos generales de producción, lo que lo convierte en una opción esencial para procesos que requieren estabilidad del proceso y el mayor rendimiento.
Parámetros técnicos:
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proyecto |
parámetro |
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Materia prima |
Grafito de alta pureza prensado isostáticamente (pureza ≥ 99,99%) |
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material de revestimiento |
Carburo de tantalio |
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Tecnología de recubrimiento |
Deposición química de vapor a alta temperatura |
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Espesor del recubrimiento |
Estándar 30-100 μm (se puede personalizar según los requisitos del proceso) |
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Recubrimiento purity |
≥ 99,995% |
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Temperatura máxima de funcionamiento |
2200°C (atmósfera inerte o vacío) |
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Aplicaciones principales |
Crecimiento de cristales de SiC PVT/LPE, MOCVD y otros procesos CVD de alta temperatura |
Pureza y estabilidad incomparables
En el entorno extremo de crecimiento de cristales de SiC, donde las temperaturas superan los 2000 °C, incluso trazas de impurezas pueden destruir las propiedades eléctricas de todo el cristal. NuestroRecubrimiento CVD TaC, con su excepcional pureza, elimina fundamentalmente la contaminación del anillo. Además, su excelente estabilidad a alta temperatura garantiza que el recubrimiento no se descompondrá, volatilizará ni reaccionará con los gases de proceso durante ciclos térmicos y de alta temperatura prolongados, proporcionando un entorno de fase de vapor puro y estable para el crecimiento de cristales.
Excelente corrosión yresistencia a la erosión
La corrosión del grafito por vapor de silicio es la principal causa de fallas y contaminación por partículas en los anillos de grafito tradicionales. Nuestro recubrimiento TaC, con su reactividad química extremadamente baja con el silicio, bloquea eficazmente el vapor de silicio, protegiendo el sustrato de grafito subyacente de la erosión. Esto no solo extiende significativamente la vida útil del anillo en sí, sino que, lo que es más importante, reduce significativamente las partículas generadas por la corrosión y el desconchado del sustrato, mejorando directamente el rendimiento del crecimiento de los cristales y la calidad interna.
Excelente rendimiento mecánico y vida útil
El recubrimiento TaC formado por el proceso CVD tiene una densidad extremadamente alta y una dureza Vickers, lo que lo hace extremadamente resistente al desgaste y al impacto físico. En aplicaciones prácticas, nuestros productos pueden extender la vida útil de 3 a 8 veces en comparación con los anillos de grafito tradicionales o los anillos recubiertos de carbono pirolítico/carburo de silicio. Esto significa menos tiempo de inactividad para el reemplazo y una mayor utilización del equipo, lo que reduce significativamente el costo general de la producción de monocristal.
Excelente calidad de recubrimiento
El rendimiento de un recubrimiento depende en gran medida de su uniformidad y fuerza de unión. Nuestro proceso CVD optimizado nos permite lograr un espesor de recubrimiento altamente uniforme incluso en las geometrías de anillo más complejas. Más importante aún, el recubrimiento forma una fuerte unión metalúrgica con el sustrato de grafito de alta pureza, lo que previene eficazmente el pelado, el agrietamiento o la descamación causados por diferencias en los coeficientes de expansión térmica durante los rápidos ciclos de calentamiento y enfriamiento, lo que garantiza un rendimiento confiable y continuo durante todo el ciclo de vida del producto.
Aval de verificación de cadena ecológica
La verificación de la cadena ecológica de Veteksemicon CVD TaC Coated Ring abarca desde las materias primas hasta la producción, ha pasado la certificación estándar internacional y tiene una serie de tecnologías patentadas para garantizar su confiabilidad y sostenibilidad en los campos de semiconductores y nuevas energías.
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Dirección de aplicación |
Escenario típico |
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Crecimiento de cristales de SiC |
Anillos de soporte central para monocristales de 4H-SiC y 6H-SiC cultivados mediante métodos PVT (transporte físico de vapor) y LPE (epitaxia en fase líquida). |
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GaN sobre epitaxia de SiC |
Un portador o conjunto en un reactor MOCVD. |
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Otros procesos de semiconductores de alta temperatura. |
Es adecuado para cualquier proceso avanzado de fabricación de semiconductores que requiera protección del sustrato de grafito en entornos altamente corrosivos y de alta temperatura. |
Para especificaciones técnicas detalladas, documentos técnicos o arreglos de prueba de muestra, por favorpóngase en contacto con nuestro equipo de soporte técnicopara explorar cómo Veteksemicon puede mejorar la eficiencia de su proceso.
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