Subceptor planetario de recubrimiento de TAC

En el ámbito de la fabricación de semiconductores, el susceptor planetario de recubrimiento de TAC juega un papel crucial. Se usa ampliamente en el crecimiento de capas epitaxiales de carburo de silicio (SIC) en equipos como el sistema Aixtron G5. Además, cuando se usa como un disco externo en el depósito de recubrimiento de carburo tantalum (TAC) para la epitaxia de SIC, el susceptor planetario de recubrimiento de TAC proporciona un soporte y estabilidad esenciales. Asegura la deposición uniforme de la capa de carburo tantálio, lo que contribuye a la formación de capas epitaxiales de alta calidad con una excelente morfología de la superficie y un grosor de película deseado. La inercia química del recubrimiento de TAC evita las reacciones y la contaminación no deseadas, manteniendo la integridad de las capas epitaxiales y asegurando su calidad superior.

La conductividad térmica excepcional del recubrimiento de TAC permite una transferencia de calor eficiente, promover la distribución uniforme de la temperatura y minimizar el estrés térmico durante el proceso de crecimiento epitaxial. Esto da como resultado la producción de capas epitaxiales SIC de alta calidad con propiedades cristalográficas mejoradas y conductividad eléctrica mejorada.

Las dimensiones precisas y la construcción robusta del disco planetario de recubrimiento de TAC facilitan la integración en los sistemas existentes, asegurando una compatibilidad perfecta y una operación eficiente. Su rendimiento confiable y su recubrimiento TAC de alta calidad contribuyen a resultados consistentes y uniformes en procesos de epitaxia SIC.

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