Recubrimiento de carburo de tantalio

VeTek Semiconductor es un fabricante líder de materiales de recubrimiento de carburo de tantalio para la industria de semiconductores. Nuestra principal oferta de productos incluye piezas con revestimiento de carburo de tantalio CVD, piezas con revestimiento de TaC sinterizado para el crecimiento de cristales de SiC o procesos de epitaxia de semiconductores. Aprobado ISO9001, VeTek Semiconductor tiene un buen control de calidad. VeTek Semiconductor se dedica a convertirse en innovador en la industria de recubrimientos de carburo de tantalio mediante la investigación y el desarrollo continuos de tecnologías iterativas.

Los principales productos sonAnillo guía recubierto de TaC, Anillo guía de tres pétalos recubierto de CVD TaC, Media luna recubierta de TaC de carburo de tantalio, Susceptor epitaxial planetario de SiC con revestimiento CVD TaC, Anillo de recubrimiento de carburo de tantalio, Grafito poroso recubierto de carburo de tantalio, Susceptor de rotación de recubrimiento TaC, Anillo de carburo de tantalio, Placa de rotación de recubrimiento TaC, Susceptor de oblea recubierta de TaC, Anillo deflector recubierto de TaC, Cubierta de revestimiento CVD TaC, Mandril recubierto de TaCetc., la pureza es inferior a 5 ppm y puede cumplir con los requisitos del cliente.

El grafito con revestimiento de TaC se crea recubriendo la superficie de un sustrato de grafito de alta pureza con una fina capa de carburo de tantalio mediante un proceso patentado de deposición química de vapor (CVD). La ventaja se muestra en la siguiente imagen:

Excellent properties of TaC coating graphite

El recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) ha llamado la atención debido a su alto punto de fusión de hasta 3880 °C, excelente resistencia mecánica, dureza y resistencia a los choques térmicos, lo que lo convierte en una alternativa atractiva a los procesos de epitaxia de semiconductores compuestos con requisitos de temperatura más altos. como el sistema Aixtron MOCVD y el proceso de epitaxia LPE SiC. También tiene una amplia aplicación en el proceso de crecimiento de cristales de SiC del método PVT.

Características clave:

●Estabilidad de temperatura

●Pureza ultraalta

●Resistencia a H2, NH3, SiH4,Si

●Resistencia al stock térmico.

●Fuerte adherencia al grafito.

●Cobertura de revestimiento conformado

● Tamaño hasta 750 mm de diámetro (El único fabricante en China alcanza este tamaño)

Aplicaciones:

●Portador de oblea

● Susceptor de calentamiento inductivo

● Elemento calefactor resistivo

●Disco satelital

●cabezal de ducha

●Anillo guía

●Receptor LED Epi

●Boquilla de inyección

●anillo de enmascaramiento

● Escudo térmico

Recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) en una sección transversal microscópica:

the microscopic cross-section of Tantalum carbide (TaC) coating

Parámetro del recubrimiento de carburo de tantalio semiconductor VeTek:

Propiedades físicas del recubrimiento TaC.
Densidad	14,3 (g/cm³)
Emisividad específica	0.3
Coeficiente de expansión térmica	6.3 10^-6/K
Dureza (HK)	2000 Hong Kong
Resistencia	1×10^-5Ohmios*cm
Estabilidad térmica	<2500℃
Cambios de tamaño de grafito	-10~-20um
Espesor del recubrimiento	Valor típico ≥20um (35um±10um)

Datos EDX del recubrimiento TaC：

EDX data of TaC coating

Datos de la estructura cristalina del recubrimiento TaC:

Elemento	Porcentaje atómico
	pt. 1	pt. 2	pt. 3	Promedio
CK	52.10	57.41	52.37	53.96
A ellos	47.90	42.59	47.63	46.04

Mandril de recubrimiento TaC Disco planetario con revestimiento de TaC
Placa recubierta de TaC Placa de rotación de recubrimiento TaC Receptor de recubrimiento TaC Cubierta de recubrimiento CVD TaC Anillo de recubrimiento CVD TaC Placa de revestimiento TaC

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Tubo de revestimiento TaC

El tubo de recubrimiento TaC de VeTek Semiconductor es un componente clave para el crecimiento exitoso de monocristales de carburo de silicio. Con su resistencia a altas temperaturas, inercia química y excelente rendimiento, garantiza la producción de cristales de alta calidad con resultados consistentes. Confíe en nuestras soluciones innovadoras para mejorar el proceso de crecimiento de cristales de SiC del método PVT y lograr excelentes resultados. Bienvenido a consultarnos.

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Part de repuesto de recubrimiento TAC

El recubrimiento TAC se utiliza actualmente principalmente en procesos como el crecimiento de un solo cristal de carburo de silicio (método PVT), disco epitaxial (incluida la epitaxia de carburo de silicio, la epitaxia LED), etc. combinada con la buena estabilidad a largo plazo de la placa de recubrimiento de TAC, la placa de recubrimiento de Veteksemicon se ha convertido en el benchmark para la placa de recubrimiento de TAC. Esperamos que se convierta en nuestro socio a largo plazo.

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Gan en el receptor EPI

GaN en el susceptor SIC EPI juega un papel vital en el procesamiento de semiconductores a través de su excelente conductividad térmica, capacidad de procesamiento de alta temperatura y estabilidad química, y garantiza la alta eficiencia y la calidad del material del proceso de crecimiento epitaxial de GaN. Vetek Semiconductor es un fabricante profesional de GaN de China en SIC EPI susceptor, esperamos sinceramente su consulta adicional.

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Portador de revestimiento CVD TAC

El portador de recubrimiento CVD TAC está diseñado principalmente para el proceso epitaxial de fabricación de semiconductores. El punto de fusión Ultra High CVD TAC CVD TAC, excelente resistencia a la corrosión y estabilidad térmica sobresaliente determinan la indispensabilidad de este producto en el proceso epitaxial semiconductor. Dé la bienvenida a su investigación adicional.

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Soporte de grafito recubierto de TAC

El susceptor de grafito con recubrimiento con el semiconductor de Vetek utiliza el método de depósito de vapor químico (CVD) para preparar el recubrimiento de carburo tantálico en la superficie de las piezas de grafito. Este proceso es el más maduro y tiene las mejores propiedades de recubrimiento. El susceptor de grafito recubierto de TAC puede extender la vida útil de los componentes de grafito, inhibir la migración de impurezas de grafito y garantizar la calidad de la epitaxia. Esperamos su consulta.

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Subser de recubrimiento TAC

El semiconductor de Vetek presenta el susceptor de recubrimiento TAC, con su recubrimiento de TAC excepcional, este susceptor ofrece una multitud de ventajas que lo distinguen de soluciones convencionales. Integrando perfectamente en los sistemas existentes, el susceptor de recubrimiento TAC de Vetek Semiconductor garantiza la compatibilidad y operación eficiente. Su rendimiento confiable y su recubrimiento TAC de alta calidad ofrecen consistentemente resultados excepcionales en procesos de epitaxia SIC. Estamos comprometidos a proporcionar productos de calidad a precios competitivos y esperamos ser su socio a largo plazo en China.

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Como fabricante y proveedor profesional Recubrimiento de carburo de tantalio en China, tenemos nuestra propia fábrica. Ya sea que necesite servicios personalizados para satisfacer las necesidades específicas de su región o desee comprar Recubrimiento de carburo de tantalio avanzado y duradero realizados en China, puede dejarnos un mensaje.

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Recubrimiento de carburo de tantalio

Características clave:

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Recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) en una sección transversal microscópica:

Parámetro del recubrimiento de carburo de tantalio semiconductor VeTek:

Datos EDX del recubrimiento TaC：

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