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Anillo de guía de carburo tantalum
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Anillo de guía de carburo tantalum

Vetek Semiconductor es un fabricante profesional y líder de los productos de anillo de la guía de carburo Tantalum en China. Nuestro anillo de guía de carburo tantalum (TAC) es un componente de anillo de alto rendimiento hecho de carburo tantalum, que se usa comúnmente en equipos de procesamiento de semiconductores, especialmente en entornos de alta temperatura y altamente corrosivos como ECV, PVD, grabado y difusión. Vetek Semiconductor se compromete a proporcionar tecnología avanzada y soluciones de productos para la industria de semiconductores, y acoge con la bienvenida a sus consultas.

Es semiconductorGuía de carburo tantalum ringestá elaborado congrafitoycubierto de carburo tantalum, una combinación que aprovecha las mejores propiedades de ambos materiales para garantizar un rendimiento superior y la longevidad.


ElRecubrimiento TACEn el anillo de la guía de carburo tantalio, asegura que permanezca químicamente inerte en las atmósferas reactivas de los hornos de crecimiento de cristal SiC, que a menudo involucran gases como hidrógeno, argón y nitrógeno. Esta inercia química es vital para prevenir cualquier contaminación del cristal en crecimiento, lo que podría conducir a defectos y un rendimiento reducido de los productos semiconductores finales. Además, la estabilidad térmica proporcionada por el recubrimiento TAC permite que el anillo de la guía de recubrimiento de carburo tantálico funcione de manera efectiva a las altas temperaturas requeridas paraCrecimiento de cristal sic, típicamente superior a 2000 ° C.


Además, la combinación de grafito y TAC en el anillo de recubrimiento de carburo tantálico optimiza el manejo térmico dentro del horno de crecimiento de cristales. La alta conductividad térmica de Graphite distribuye eficientemente el calor, evitando los puntos críticos y promoviendo el crecimiento de cristales uniformes. Mientras tanto, el recubrimiento de carburo tantálico sirve como una barrera térmica, protegiendo el núcleo de grafito de la exposición directa a altas temperaturas y gases reactivos. Esta sinergia entre el núcleo y los materiales de recubrimiento da como resultado un anillo de guía que no solo soporta las duras condiciones del crecimiento de los cristales SIC, sino que también mejora la eficiencia general y la calidad del proceso.


Las propiedades mecánicas del carburo de vetek semiconductores tantalum reducen en gran medida el desgaste del anillo de recubrimiento de carburo tantalum. Esto es crucial debido a la naturaleza repetitiva delproceso de crecimiento de cristales, que expone el anillo de guía a ciclos térmicos frecuentes y tensiones mecánicas. La dureza y la resistencia al desgaste del carburo de Tantalum aseguran que el anillo de guía mantenga su integridad estructural y dimensiones precisas durante largos períodos, minimizando la necesidad de reemplazos frecuentes y reduciendo el tiempo de inactividad en el proceso de fabricación.


El anillo de recubrimiento de carburo de semiconductores vetek de semiconductores es un componente esencial en la industria de semiconductores, específicamente diseñado para el crecimiento deCristales de carburo de silicio. Su diseño aprovecha las fortalezas del grafito y el carburo tantálico para ofrecer un rendimiento excepcional en entornos de alta temperatura y de alto estrés. El recubrimiento TAC garantiza la inercia química, la durabilidad mecánica y la estabilidad térmica, todo lo cual es crítico para producir cristales SIC de alta calidad. Al mantener su integridad y funcionalidad en condiciones extremas, el anillo de guía respalda el crecimiento eficiente y sin defectos de los cristales SIC, lo que contribuye al avance de los dispositivos semiconductores de alta potencia y alta frecuencia.


Recubrimiento de carburo tantalum (TAC) en una sección transversal microscópica:


Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4


Propiedades físicas del recubrimiento TAC:


Propiedades físicas del recubrimiento TAC
Densidad
14.3 (g/cm³)
Emisividad específica
0.3
Coeficiente de expansión térmica
6.3*10-6/K
Dureza (HK)
2000 HK
Resistencia
1 × 10-5Ohm*cm
Estabilidad térmica
<2500 ℃
Cambios de tamaño de grafito
-10 ~ -20um
Espesor de revestimiento
≥20um valor típico (35um ± 10um)

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