Código QR
Sobre nosotros
Productos
Contáctenos

Teléfono

Fax
+86-579-87223657

Correo electrónico

DIRECCIÓN
Wangda Road, Ziyang Street, condado de Wuyi, ciudad de Jinhua, provincia de Zhejiang, China
Durante el proceso de fabricación de semiconductores, los semiconductores de VetekCVD TAC Cubrete Carrier de obleases una bandeja utilizada para transportar obleas. Este producto utiliza un proceso de deposición de vapor químico (CVD) para cubrir una capa de recubrimiento TAC en la superficie delSustrato portador de obleas. Este recubrimiento puede mejorar significativamente la resistencia a la oxidación y la corrosión del portador de la oblea, al tiempo que reduce la contaminación de las partículas durante el procesamiento. Es un componente importante en el procesamiento de semiconductores.
OFERTA SEMICONDUCTORCVD TAC Cubrete Carrier de obleasestá compuesto por un sustrato y unrevestimiento de carburo tantalum (TAC).
El grosor de los recubrimientos de carburo tantálio está típicamente en el rango de 30 micras, y TAC tiene un punto de fusión de hasta 3,880 ° C al tiempo que proporciona una excelente corrosión y resistencia al desgaste, entre otras propiedades.
El material base del portador está hecho de grafito de alta pureza ocarburo de silicio (sic), y luego una capa de TAC (dureza de Knoop hasta 2000hk) está recubierta en la superficie a través de un proceso de CVD para mejorar su resistencia a la corrosión y resistencia mecánica.
Durante el proceso de la oblea, el semiconductor de VetekCVD TAC Cubrete Carrier de obleasPuede desempeñar los siguientes roles importantes:
1. Protección de obleas
Protección física El portador sirve como una barrera física entre la oblea y las fuentes de daños mecánicos externas. Cuando las obleas se transfieren entre diferentes equipos de procesamiento, como entre una cámara química -deposición de vapor (CVD) y una herramienta de grabado, son propensos a rasguños e impactos. El portador de obleas de recubrimiento CVD TAC tiene una superficie relativamente dura y lisa que puede soportar fuerzas de manejo normales y evitar el contacto directo entre la oblea y los objetos ásperos o afilados, reduciendo así el riesgo de daño físico a las obleas.
La protección química TAC tiene una excelente estabilidad química. Durante varios pasos de tratamiento químico en el proceso de oblea, como el grabado húmedo o la limpieza química, el recubrimiento TAC CVD puede evitar que los agentes químicos entren en contacto directo con el material portador. Esto protege al portador de la oblea de la corrosión y el ataque químico, asegurando que no se liberen contaminantes del portador a las obleas, manteniendo así la integridad de la química de la superficie de la oblea.
2. Apoyo y alineación
Soporte estable El transportista de obleas proporciona una plataforma estable para obleas. En los procesos donde las obleas están sujetas a ambientes de tratamiento de alta temperatura o alta presión, como en un horno de alta temperatura para el recocido, el transportista debe poder soportar la oblea de manera uniforme para evitar la deformación o la agrietamiento de la oblea. El diseño adecuado y el recubrimiento TAC de alta calidad del portador aseguran una distribución de tensión uniforme a través de la oblea, manteniendo su planitud e integridad estructural.
Alineación precisa La alineación precisa es crucial para varios procesos de litografía y deposición. El portador de la oblea está diseñado con características de alineación precisas. El recubrimiento TAC ayuda a mantener la precisión dimensional de estas características de alineación con el tiempo, incluso después de múltiples usos y exposición a diferentes condiciones de procesamiento. Esto asegura que las obleas se coloquen con precisión dentro del equipo de procesamiento, lo que permite el patrón preciso y la capa de materiales semiconductores en la superficie de la oblea.
3. Transferencia de calor
La distribución de calor uniforme en muchos procesos de obleas, como la oxidación térmica y la ECV, es esencial un control preciso de la temperatura. El portador de obleas de recubrimiento CVD TAC tiene buenas propiedades de conductividad térmica. Puede transferir uniformemente el calor a la oblea durante las operaciones de calefacción y eliminar el calor durante los procesos de enfriamiento. Esta transferencia de calor uniforme ayuda a reducir los gradientes de temperatura en la oblea, minimizando las tensiones térmicas que podrían causar defectos en los dispositivos semiconductores que se fabrican en la oblea.
Calor mejorada - eficiencia de transferencia El recubrimiento TAC puede mejorar las características generales de transferencia de calor del portador de obleas. En comparación con los portadores o portadores no recubiertos con otros recubrimientos, la superficie de recubrimiento TAC puede tener una superficie más favorable: energía y textura para el intercambio de calor con el entorno circundante y la oblea misma. Esto da como resultado una transferencia de calor más eficiente, lo que puede acortar el tiempo de procesamiento y mejorar la eficiencia de producción del proceso de fabricación de obleas.
4. Control de contaminación
Propiedades de baja desgasificación El recubrimiento TAC típicamente exhibe un comportamiento de baja desgasificación, lo cual es crucial en el entorno limpio del proceso de fabricación de la oblea. La desgasificación de sustancias volátiles del portador de obleas puede contaminar la superficie de la oblea y el entorno de procesamiento, lo que lleva a fallas del dispositivo y rendimientos reducidos. La naturaleza baja del recubrimiento CVD TAC asegura que el portador no introduzca contaminantes no deseados en el proceso, manteniendo los requisitos de alta pureza de la fabricación de semiconductores.
Partícula: superficie libre La naturaleza lisa y uniforme del recubrimiento TAC CVD reduce la probabilidad de generación de partículas en la superficie del portador. Las partículas pueden adherirse a la oblea durante el procesamiento y causar defectos en los dispositivos semiconductores. Al minimizar la generación de partículas, el portador de obleas de recubrimiento TAC ayuda a mejorar la limpieza del proceso de fabricación de obleas y aumentar el rendimiento del producto.




Propiedades físicas del recubrimiento TAC
Densidad de recubrimiento TAC
14.3 (g/cm³)
Emisividad específica
0.3
Coeficiente de expansión térmica
6.3*10-6/K
Dureza de recubrimiento TAC (HK)
2000 HK
Resistencia
1 × 10-5Ohm*cm
Estabilidad térmica
<2500 ℃
Cambios de tamaño de grafito
-10 ~ -20um
Espesor de revestimiento
≥20um valor típico (35um ± 10um)
DIRECCIÓN
Wangda Road, Ziyang Street, condado de Wuyi, ciudad de Jinhua, provincia de Zhejiang, China
Teléfono
Correo electrónico


+86-579-87223657


Wangda Road, Ziyang Street, condado de Wuyi, ciudad de Jinhua, provincia de Zhejiang, China
Copyright © 2024 WuYi TianYao New Material Tech.Co., Ltd. Reservados todos los derechos.
Links | Sitemap | RSS | XML | política de privacidad |
