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Subser de recubrimiento TAC
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Subser de recubrimiento TAC

El semiconductor de Vetek presenta el susceptor de recubrimiento TAC, con su recubrimiento de TAC excepcional, este susceptor ofrece una multitud de ventajas que lo distinguen de soluciones convencionales. Integrando perfectamente en los sistemas existentes, el susceptor de recubrimiento TAC de Vetek Semiconductor garantiza la compatibilidad y operación eficiente. Su rendimiento confiable y su recubrimiento TAC de alta calidad ofrecen consistentemente resultados excepcionales en procesos de epitaxia SIC. Estamos comprometidos a proporcionar productos de calidad a precios competitivos y esperamos ser su socio a largo plazo en China.


Three views of TaC coated susceptor


Susceptor recubierto de Tac y semiconductor de vetek yTAC recubiertoanilloTrabajan juntos en el reactor de crecimiento epitaxial de carburo de silicio LPE:


● Resistencia a alta temperatura: ElRecubrimiento TACEl susceptor tiene una excelente resistencia a alta temperatura, capaz de soportar las temperaturas extremas de hasta 1500 ° C en elReactor LPE. Esto garantiza que el equipo y los componentes no se deforman ni se dañen durante la operación a largo plazo.

● Estabilidad química: El susceptor de recubrimiento TAC funciona excepcionalmente bien en el entorno de crecimiento corrosivo de carburo de silicio, protegiendo efectivamente los componentes del reactor del ataque químico corrosivo, extendiendo así su vida útil.

● Estabilidad térmica: El susceptor de recubrimiento TAC tiene una buena estabilidad térmica, manteniendo la morfología de la superficie y la rugosidad para garantizar la uniformidad del campo de temperatura en el reactor, lo cual es beneficioso para el crecimiento de alta calidad de las capas epitaxiales de carburo de silicio.

● Anti-contaminación: La superficie recubierta de TAC lisa y el rendimiento superior de TPD (desorción programada de temperatura) pueden minimizar la acumulación y adsorción de partículas e impurezas dentro del reactor, evitando la contaminación de las capas epitaxiales.


En resumen, el susceptor y el anillo recubierto de TAC juegan un papel protector crítico en el reactor de crecimiento epitaxial de carburo de silicio LPE, asegurando la operación estable a largo plazo del equipo y el crecimiento de alta calidad de las capas epitaxiales.


Parámetro del producto del susceptor de recubrimiento TAC:

Propiedades físicas del recubrimiento TAC
Densidad de recubrimiento 14.3 (g/cm³)
Emisividad específica 0.3
Coeficiente de expansión térmica 6.3 10-6/K
Dureza de recubrimiento TAC (HK) 2000 HK
Resistencia 1 × 10-5Ohm*cm
Estabilidad térmica <2500 ℃
Cambios de tamaño de grafito -10 ~ -20um
Espesor de revestimiento ≥20um valor típico (35um ± 10um)


Cadena industrial:

Chip Industrial Chain


Es semiconductorSubser de recubrimiento TACTienda de producción

VeTek Semiconductor TaC Coating Susceptor Production Shop


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