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Anillo de recubrimiento TAC
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Anillo de recubrimiento TAC

El anillo de recubrimiento TAC es un componente de alto rendimiento diseñado para su uso en procesos de semiconductores, el anillo de recubrimiento TAC de semiconductores vetek tiene una alta estabilidad térmica, resistencia a la corrosión química y una excelente resistencia mecánica y se usa específicamente para tener y soportar obleas SIC durante el proceso de grabado, donde el control preciso y la durabilidad son esenciales para lograr obleas de alta calidad. Esperamos su consulta adicional.

El anillo de revestimiento TaC de VeTek semiconductor está fabricado con grafito de alta calidad y recubierto con carburo de tantalio (TaC), un material conocido por sus propiedades superiores, es un componente indispensable en el procesamiento de obleas semiconductoras.


Las características y beneficios clave del anillo de recubrimiento TAC Semiconductor Vetek:


Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section

● Alta estabilidad térmica: Una de las características destacadas del anillo de recubrimiento de carburo tantalum es su capacidad para resistir altas temperaturas, un factor crítico en el grabado de semiconductores. El proceso de grabado SIC implica la exposición a temperaturas elevadas y gases reactivos, y el recubrimiento de carburo tantálio asegura que el anillo permanezca estable y retiene su integridad estructural incluso en estas duras condiciones. Esta resiliencia térmica asegura que el componente continúe funcionando de manera óptima durante períodos prolongados.


● Resistencia mecánica mejorada: La combinación de grafito de alta resistencia y recubrimiento TAC da como resultado un componente con propiedades mecánicas mejoradas, lo que hace que el anillo recubierto de TAC sea altamente resistente al desgaste. Su resistencia mecánica es crucial para mantener las obleas SIC firmemente en su lugar, asegurando un grabado preciso y evitando cualquier deformación durante el proceso.


●  Resistencia a la corrosión química: En los procesos semiconductores como el grabado SIC, los componentes a menudo se expusen a productos químicos agresivos y gases reactivos. El recubrimiento de carburo Tantalum proporciona una excelente protección contra la corrosión, extendiendo significativamente la vida útil del anillo y minimizando la necesidad de reemplazos frecuentes. Esta resistencia es especialmente importante en el proceso de grabado, donde los componentes están en contacto constante con sustancias químicamente reactivas.


● Superior CoatItac Coatingsng para un rendimiento mejorado: El recubrimiento de carburo de tantalio en el anillo de grafito proporciona una superficie robusta que mejora el rendimiento general del componente. El carburo de tantalio es conocido por su alto punto de fusión (aproximadamente 3880 °C) y su excelente resistencia a las reacciones químicas, especialmente en los entornos agresivos que suelen encontrarse durante los procesos de fabricación de semiconductores. Este recubrimiento de carburo de tantalio mejora significativamente la vida útil del producto, proporcionando una durabilidad superior en comparación con los anillos de grafito sin recubrimiento.


● Resistencia mecánica mejorada: La combinación de grafito de alta resistencia y recubrimiento TAC da como resultado un componente con propiedades mecánicas mejoradas, lo que hace que el anillo recubierto de TAC sea altamente resistente al desgaste. Su resistencia mecánica es crucial para mantener las obleas SIC firmemente en su lugar, asegurando un grabado preciso y evitando cualquier deformación durante el proceso.


Como proveedor, fabricante y fábrica líder de anillos de recubrimiento TaC en China, VeTek Semiconductor se ha comprometido durante mucho tiempo a proporcionar productos avanzados de anillos de recubrimiento TaC y soluciones técnicas para la industria de procesamiento de semiconductores, y respalda servicios de productos personalizados. VeTekSemi espera sinceramente convertirse en su socio a largo plazo en China.


Propiedades físicas del recubrimiento TAC

Propiedades físicas del recubrimiento TAC
Densidad del recubrimiento TaC
14,3 (g/cm³)
Emisividad específica
0.3
Coeficiente de expansión térmica
6,3*10-6/K
Dureza del recubrimiento TaC (HK)
2000 Hong Kong
Resistencia
1 × 10-5Ohmios*cm
Estabilidad térmica
<2500℃
Cambios de tamaño de grafito
-10 ~ -20um
Espesor de revestimiento
≥20um valor típico (35um ± 10um)

Tiendas de productos de anillos de revestimiento TaC de VeTek Semiconductores

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