Tac recubrimiento chuck

El chuck de revestimiento TAC del semiconductor de Vetek es la solución ideal para lograr resultados excepcionales en el proceso SIC EPI. Con su recubrimiento de carburo tántalo, resistencia a la alta temperatura y la inercia química, nuestro producto le permite producir cristales de alta calidad con precisión y confiabilidad. Aprendida para informarnos.

El carburo de Tac Tantalum es un material comúnmente utilizado para cubrir la superficie de las partes internas del equipo epitaxial. Tiene las siguientes características:

● Excelente resistencia a alta temperatura: El recubrimiento de carburo tantalum puede soportar temperaturas de hasta 2200 ° C, lo que las hace ideales para aplicaciones en entornos de alta temperatura, como las cámaras de reacción epitaxial.

● Alta dureza: La dureza del carburo de tantalum alcanza aproximadamente 2000 HK, que es mucho más difícil que el acero inoxidable o la aleación de aluminio comúnmente utilizada, lo que puede prevenir efectivamente el desgaste de la superficie.

● Estabilidad química fuerte: El recubrimiento de carburo tantalum funciona bien en entornos químicamente corrosivos y puede extender en gran medida la vida útil de los componentes del equipo epitaxial.

● Buena conductividad eléctrica: La superficie de recubrimiento tiene una buena conductividad eléctrica, que conduce a la liberación electrostática y la conducción de calor.

Estas propiedades hacen que el recubrimiento de carburo tantalum tac tán sea un material ideal para fabricar piezas críticas, como bujes internos, paredes de la cámara de reacción y elementos de calentamiento para equipos epitaxiales. Al recubrir estos componentes con TAC, se puede mejorar el rendimiento general y la vida útil del equipo epitaxial.

Para la epitaxia de carburo de silicio, TAC Coating Troy también puede desempeñar un papel importante. El recubrimiento superficial es suave y denso, que es propicio para la formación de películas de carburo de silicio de alta calidad. Al mismo tiempo, la excelente conductividad térmica de TAC puede ayudar a mejorar la uniformidad de la distribución de temperatura dentro del equipo, mejorando así la precisión del control de temperatura del proceso epitaxial y, en última instancia, logrando una calidad de mayor calidad.Silicon Carbide EpitaxialCrecimiento de la capa.

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