Recubrimiento de carburo de silicio

VeTek Semiconductor se especializa en la producción de productos de recubrimiento de carburo de silicio ultra puro, estos recubrimientos están diseñados para aplicarse a grafito purificado, cerámica y componentes metálicos refractarios.

Nuestros recubrimientos de alta pureza están destinados principalmente a su uso en las industrias de semiconductores y electrónica. Sirven como capa protectora para portadores de obleas, susceptores y elementos calefactores, protegiéndolos de los entornos corrosivos y reactivos que se encuentran en procesos como MOCVD y EPI. Estos procesos son parte integral del procesamiento de obleas y la fabricación de dispositivos. Además, nuestros recubrimientos son adecuados para aplicaciones en hornos de vacío y calentamiento de muestras, donde se encuentran ambientes de alto vacío, reactivos y oxígeno.

En VeTek Semiconductor, ofrecemos una solución integral con nuestras capacidades avanzadas de taller mecánico. Esto nos permite fabricar los componentes base utilizando grafito, cerámica o metales refractarios y aplicar los recubrimientos cerámicos de SiC o TaC internamente. También brindamos servicios de recubrimiento para piezas suministradas por el cliente, lo que garantiza flexibilidad para satisfacer diversas necesidades.

Nuestros productos de recubrimiento de carburo de silicio se utilizan ampliamente en epitaxia de Si, epitaxia de SiC, sistema MOCVD, proceso RTP/RTA, proceso de grabado, proceso de grabado ICP/PSS, proceso de varios tipos de LED, incluidos LED azul y verde, LED UV y UV profundo. LED, etc., que se adapta a equipos de LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI, etc.

Piezas del reactor que podemos hacer:

Recubrimiento de carburo de silicio varias ventajas únicas:

Silicon Carbide Coating several unique advantages

Parámetro de recubrimiento de carburo de silicio semiconductor VeTek

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad del recubrimiento de SiC	3,21 g/cm³
Recubrimiento de SiCDureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño del grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg^-1·k^-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Resistencia a la flexión	415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m^-1·k^-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K^-1

ESTRUCTURA CRISTALINA DE PELÍCULA CVD SIC

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Susceptor Epi recubierto de carburo de silicio Portador de oblea con revestimiento de SiC Cubierta de satélite recubierta de SiC para MOCVD Susceptor Epi de oblea con revestimiento de SiC CVD Elemento calefactor con revestimiento CVD SiC Portaobleas Aixtron Satellite Receptor Epi con revestimiento de SiC Piezas de grafito en forma de media luna con revestimiento de SiC

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Placa portadora de grabado de PSS para semiconductor

La placa portadora de grabado PSS de Vetek Semiconductor para semiconductor es un portador de grafito ultra pure de alta calidad diseñado para procesos de manejo de obleas. Nuestros portadores tienen un excelente rendimiento y pueden funcionar bien en entornos hostiles, altas temperaturas y condiciones de limpieza química duras. Nuestros productos son ampliamente utilizados en muchos mercados europeos y estadounidenses, y esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China. Usted puede venir a China para visitar nuestra fábrica y aprender más sobre nuestra tecnología y productos.

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Susceptor de recocido térmico rápido

VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor líder de susceptores de recocido térmico rápido en China, que se centra en proporcionar soluciones de alto rendimiento para la industria de semiconductores. Contamos con muchos años de profunda acumulación técnica en el campo de los materiales de recubrimiento de SiC. Nuestro susceptor de recocido térmico rápido tiene una excelente resistencia a altas temperaturas y una excelente conductividad térmica para satisfacer las necesidades de la fabricación epitaxial de obleas. Le invitamos a visitar nuestra fábrica en China para obtener más información sobre nuestra tecnología y productos.

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GaN basado en silicio susceptor epitaxial

El susceptor epitaxial GaN basado en silicio es el componente central requerido para la producción epitaxial GaN. El susceptor epitaxial GaN basado en silicio de Veteksemicon está especialmente diseñado para el sistema de reactores epitaxiales GaN basado en silicio, con ventajas como alta pureza, excelente resistencia a alta temperatura y resistencia a la corrosión. Dé la bienvenida a su consulta adicional.

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Part de media luna de 8 pulgadas para reactor LPE

Vetek Semiconductor es un fabricante líder de equipos de semiconductores en China, centrándose en la I + D y la producción de una parte de media luna de 8 pulgadas para el reactor LPE. Hemos acumulado una rica experiencia a lo largo de los años, especialmente en materiales de recubrimiento SIC, y estamos comprometidos a proporcionar soluciones eficientes adaptadas para los reactores epitaxiales LPE. Nuestra parte de media luna de 8 pulgadas para el reactor LPE tiene un excelente rendimiento y compatibilidad, y es un componente clave indispensable en la fabricación epitaxial. Dé la bienvenida a su consulta para obtener más información sobre nuestros productos.

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Susceptor de panqueques recubierto de SiC para obleas LPE PE3061S de 6''

El susceptor de panqueques recubierto de SIC para las obleas LPE PE3061S 6 '' es uno de los componentes centrales utilizados en el procesamiento de obleas epitaxial de 6 ''. Vetek Semiconductor es actualmente un fabricante líder y proveedor de susceptor de panqueques recubiertos de SIC para obleas LPE PE3061S 6 '' en China. El susceptor de panqueques recubierto de SIC que proporciona tiene excelentes características, como alta resistencia a la corrosión, buena conductividad térmica y buena uniformidad. Esperando su consulta.

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Soporte recubierto de SIC para LPE PE2061S

Vetek Semiconductor es un fabricante líder y proveedor de componentes de grafito recubiertos de SIC en China. El soporte recubierto de SIC para LPE PE2061S es adecuado para el reactor epitaxial de silicio LPE. Como la parte inferior de la base del cañón, el soporte recubierto de SIC para LPE PE2061 puede soportar altas temperaturas de 1600 grados centígrados, logrando así la vida útil de los productos ultra larga y reduciendo los costos de los clientes. Esperamos su consulta y comunicación adicional.

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Como fabricante y proveedor profesional Recubrimiento de carburo de silicio en China, tenemos nuestra propia fábrica. Ya sea que necesite servicios personalizados para satisfacer las necesidades específicas de su región o desee comprar Recubrimiento de carburo de silicio avanzado y duradero realizados en China, puede dejarnos un mensaje.

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