Horno vertical con anillo recubierto de SiC

En hornos verticales, el uso de anillos recubiertos de SiC es una solución común, utilizada principalmente en procesos de tratamiento térmico a alta temperatura deobleas de semiconductores. Los anillos recubiertos con horno vertical son componentes resistentes a alta temperatura y de alta temperatura utilizados para soportar o proteger obleas para garantizar la estabilidad y la confiabilidad del proceso.

Las funciones del anillo recubierto de horno vertical sic

● Funciones

Rol de apoyo. Se utiliza para soportar obleas para garantizar su estabilidad y posición precisa en hornos de alta temperatura.

●  Protección contra la corrosión

Evitar que los gases corrosivos o los productos químicos corroen el material base.

●  Reducir la contaminación

El recubrimiento de SiC de alta pureza puede prevenir eficazmente el desprendimiento de partículas y la contaminación por impurezas para garantizar la limpieza del proceso.

●  Alta resistencia a la temperatura

Mantiene excelentes propiedades mecánicas y estabilidad dimensional en ambientes de alta temperatura (generalmente más de 1000 °C).

Las características del anillo recubierto de horno vertical SIC

●  Alta dureza y fuerza

Los materiales SIC tienen una excelente resistencia mecánica y pueden soportar un estrés de alta temperatura en el horno.

●  Buena estabilidad térmica

La alta conductividad térmica y el bajo coeficiente de expansión térmica del SiC ayudan a reducir el estrés térmico.

●  Estabilidad química fuerte

Los recubrimientos SIC pueden resistir la corrosión en entornos oxidantes, ácidos o alcalinos.

●  Baja contaminación por partículas

La superficie lisa reduce la posibilidad de generación de partículas, que es particularmente adecuada para el entorno ultra limpio de la fabricación de semiconductores.

Se utiliza para difusión, oxidación, recocido y otros procesos en hornos verticales para soportar obleas de silicio y evitar la contaminación de partículas durante el tratamiento térmico.

Materiales y procesos de fabricación.

● sustrato: hecho de grafito SGL de alta calidad, la calidad está garantizada.

●  Recubrimiento: el recubrimiento de carburo de silicio se aplica a la superficie del grafito mediante deposición química de vapor (CVD).

●  El espesor del recubrimiento suele estar entre 50 y 500 μm, que se ajusta según los requisitos de uso.

●  El recubrimiento de SiC por deposición química de vapor tiene mayor pureza y densidad, y mejor durabilidad.

Seleccione el apropiadoRecubrimiento sicanillo de acuerdo con el diámetro de la oblea de silicio en el horno y las especificaciones del portador. Podemos personalizarlo para usted. El recubrimiento denso y de alta pureza es más duradero y menos contaminante. Reemplácelo periódicamente de acuerdo con la frecuencia de uso y los requisitos del proceso para evitar la contaminación o fallas del soporte debido al envejecimiento del recubrimiento.

Como proveedor y fabricante profesional de anillos recubiertos de SiC para hornos verticales en China, VeTek Semiconductor se ha comprometido durante mucho tiempo a proporcionar tecnología avanzada de hornos verticales y soluciones de productos para la industria de semiconductores. Esperamos sinceramente convertirnos en su socio a largo plazo en China.

ESTRUCTURA CRISTALINA DE PELÍCULA CVD SIC

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD

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