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Proceso de epitaxia de SiC

Los exclusivos recubrimientos de carburo de VeTek Semiconductor brindan una protección superior para las piezas de grafito en el proceso de epitaxia de SiC para el procesamiento de materiales semiconductores y semiconductores compuestos exigentes. El resultado es una vida útil prolongada de los componentes de grafito, la preservación de la estequiometría de la reacción, la inhibición de la migración de impurezas a aplicaciones de epitaxia y crecimiento de cristales, lo que resulta en un mayor rendimiento y calidad.


Nuestros recubrimientos de carburo de tantalio (TaC) protegen los componentes críticos de hornos y reactores a altas temperaturas (hasta 2200 °C) del amoníaco caliente, el hidrógeno, los vapores de silicio y los metales fundidos. VeTek Semiconductor tiene una amplia gama de capacidades de medición y procesamiento de grafito para satisfacer sus requisitos personalizados, por lo que podemos ofrecer un recubrimiento de pago o un servicio completo, con nuestro equipo de ingenieros expertos listos para diseñar la solución adecuada para usted y su aplicación específica. .


Cristales semiconductores compuestos

VeTek Semiconductor puede proporcionar recubrimientos TaC especiales para diversos componentes y soportes. A través del proceso de recubrimiento líder en la industria de VeTek Semiconductor, el recubrimiento TaC puede obtener alta pureza, estabilidad a altas temperaturas y alta resistencia química, mejorando así la calidad del producto de las capas cristalinas de TaC/GaN) y EPl, y extendiendo la vida útil de los componentes críticos del reactor.


Aisladores térmicos

Componentes de crecimiento de cristales de SiC, GaN y AlN, incluidos crisoles, portasemillas, deflectores y filtros. Conjuntos industriales que incluyen elementos calefactores resistivos, boquillas, anillos de protección y accesorios de soldadura fuerte, componentes del reactor CVD epitaxial de GaN y SiC, incluidos portadores de obleas, bandejas satélite, cabezales de ducha, tapas y pedestales, componentes MOCVD.


Objetivo:

 ● Portador de oblea LED (diodo emisor de luz)

● Receptor ALD (Semiconductor)

● Receptor EPI (proceso de epitaxia de SiC)


Comparación del recubrimiento de SiC y el recubrimiento de TaC:

Sic TaC
Características principales Pureza ultraalta, excelente resistencia al plasma Excelente estabilidad a altas temperaturas (conformidad con el proceso a altas temperaturas)
Pureza >99,9999% >99,9999%
Densidad (g/cm3) 3.21 15
Dureza (kg/mm2) 2900-3300 6.7-7.2
Resistividad [Ωcm] 0,1-15.000 <1
Conductividad térmica (W/m-K) 200-360 22
Coeficiente de expansión térmica(10-6/℃) 4.5-5 6.3
Solicitud Plantilla de cerámica para equipos semiconductores (anillo de enfoque, cabezal de ducha, oblea simulada) Piezas de equipos de crecimiento monocristalino de SiC, Epi, LED UV


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Transportista de obleas de epitaxia de carburo de silicio

Transportista de obleas de epitaxia de carburo de silicio

Vetek Semiconductor es un proveedor de transportistas de obleas de epitaxia de carburo de silicio personalizado líder en China. Hemos sido especializados en material avanzado de más de 20 años. Ofrecemos un portador de obleas de epitaxia de carburo de silicio para transportar un sustrato SIC, una capa de epitaxia SIC creciente en el reino epitaxial SIC. Este portador de obleas de epitaxia de carburo de silicio es una parte importante recubierta de SIC de la parte de media luna, resistencia de alta temperatura, resistencia a la oxidación, resistencia al desgaste. Le damos la bienvenida a visitar nuestra fábrica en China. Aprendida para consultar en cualquier momento.
Cubierta de recubrimiento de carburo tantalum

Cubierta de recubrimiento de carburo tantalum

La cubierta de recubrimiento de carburo tantalum está compuesta de grafito de alta pureza y recubrimiento TAC. Vetek Semiconductor es un proveedor líder y fabricante de la cubierta de recubrimiento de carburo Tantalum en China. Nos centramos en proporcionar productos de carburo tantalum resistentes a la alta y alta temperatura. Nuestra cubierta recubierta de carburo Tantalum tiene un excelente rendimiento y confiabilidad, y puede proteger efectivamente los materiales en entornos de temperatura y corrosivos extremadamente altos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China. Bienvenido para consultar en cualquier momento.
Anillo deflector recubierto de TAC

Anillo deflector recubierto de TAC

El anillo de deflector recubierto de TAC de Vetek Semiconductor es un componente altamente especializado diseñado para procesos de crecimiento de cristal SIC. El recubrimiento TAC proporciona una excelente resistencia a la temperatura y una inercia química para hacer frente a las altas temperaturas y los ambientes corrosivos durante el proceso de crecimiento de los cristales. Esto garantiza un rendimiento estable y una larga vida útil del componente, reduciendo la frecuencia de reemplazo y tiempo de inactividad. Estamos comprometidos a proporcionar productos de calidad a precios competitivos y esperamos ser su socio a largo plazo en China. Aprendida para consultar en cualquier momento.
Anillo recubierto de TaC para reactor epitaxial de SiC

Anillo recubierto de TaC para reactor epitaxial de SiC

Vetek Semiconductor es un fabricante líder e innovador tecnológico del anillo recubierto de TAC para el reactor epitaxial SIC en China, centrándose en proporcionar soluciones de alto rendimiento para reactores epitaxiales SIC. Tenemos muchos años de experiencia en tecnología de recubrimiento TAC. El anillo recubierto de TAC tiene las características de alta pureza, alta estabilidad, excelente resistencia a la corrosión, etc., y puede proporcionar un rendimiento estable a largo plazo en el duro entorno de trabajo de los reactores epitaxiales. Esperamos establecer una asociación estratégica a largo plazo con usted.
Pieza de media luna recubierta de carburo de tantalio para LPE

Pieza de media luna recubierta de carburo de tantalio para LPE

VeTek Semiconductor es un proveedor líder de piezas de media luna recubiertas de carburo de tantalio para LPE en China y se centra en la tecnología de recubrimiento TaC durante muchos años. Nuestra pieza de media luna recubierta de carburo de tantalio para LPE está diseñada para el proceso de epitaxia en fase líquida y puede soportar altas temperaturas de más de 2000 grados Celsius. Con un excelente rendimiento de materiales e innovación de procesos, la vida útil de nuestros productos se encuentra en el nivel líder en la industria. VeTek Semiconductor espera ser su socio a largo plazo en China.
Disco de rotación planetaria recubierta de carburo tantalum

Disco de rotación planetaria recubierta de carburo tantalum

VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor líder de discos de rotación planetaria recubiertos de carburo de tantalio en China, y se centra en la tecnología de recubrimiento TaC durante muchos años. Nuestros productos tienen alta pureza y excelente resistencia a altas temperaturas, que son ampliamente reconocidos por los fabricantes de semiconductores. El disco de rotación planetaria recubierto de carburo de tantalio de VeTek Semiconductor se ha convertido en la columna vertebral de la industria de la epitaxia de obleas. Esperamos establecer una asociación a largo plazo con usted para promover conjuntamente el progreso tecnológico y la optimización de la producción.
Como fabricante y proveedor profesional Proceso de epitaxia de SiC en China, tenemos nuestra propia fábrica. Ya sea que necesite servicios personalizados para satisfacer las necesidades específicas de su región o desee comprar Proceso de epitaxia de SiC avanzado y duradero realizados en China, puede dejarnos un mensaje.
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