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En el mundo de los semiconductores de banda ancha (WBG), si el proceso de fabricación avanzado es el "alma", el susceptor de grafito es la "columna vertebral" y el revestimiento de su superficie es la "piel" fundamental.

En el mundo de la electrónica de potencia, de alto riesgo, el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN) están encabezando una revolución, desde los vehículos eléctricos (EV) hasta la infraestructura de energía renovable. Sin embargo, la legendaria dureza y la inercia química de estos materiales presentan un formidable cuello de botella en la fabricación.

En la fabricación de semiconductores, el proceso de Planarización Química Mecánica (CMP) es la etapa central para lograr la planarización de la superficie de la oblea, lo que determina directamente el éxito o el fracaso de los pasos litográficos posteriores. Como consumible crítico en CMP, el rendimiento de la lechada de pulido es el factor fundamental para controlar la tasa de eliminación (RR), minimizar los defectos y mejorar el rendimiento general.