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Los materiales de grafito tienen una amplia gama de escenarios de aplicación. Entre ellos, el grafito isotrópico y el grafito siliconizado son los dos principales tipos diferentes de materiales de grafito, y sus características, escenarios de aplicación y ventajas son significativamente diferentes. Este blog realizará un análisis comparativo de tres aspectos: características estructurales, escenarios de aplicación y ventajas de productos.

La cerámica de carburo de silicio, comúnmente conocida como cerámica SIC, es un material versátil con propiedades únicas y una amplia gama de aplicaciones en diversas industrias. La siguiente es una discusión detallada de su composición de material, propiedades físicas, aplicaciones específicas y ventajas en los procesos de recubrimiento de semiconductores, y problemas comunes encontrados durante el procesamiento.

Este blog toma "¿Cómo el grafito poroso mejora el crecimiento de cristal de carburo de silicio?" Como su tema, y ​​discute en detalle las conclusiones de llave de grafito poroso, el papel del carburo de silicio en la tecnología de semiconductores, propiedades únicas del grafito poroso, cómo el grafito poroso optimiza el proceso PVT, innovaciones en materiales de grafito poroso y otros ángulos.

Este blog analiza las aplicaciones específicas de la inteligencia artificial en el campo de la ECV a partir de dos aspectos: la importancia y los desafíos de la tecnología de deposición de vapor químico (CVD) en física y tecnología de ECV y aprendizaje automático.

Este blog toma "¿Qué es el susceptor de grafito recubierto de SIC?" Como su tema, y ​​lo discute desde las perspectivas de la capa epitaxial y su equipo, la importancia del susceptor de grafito recubierto de SIC en equipos CVD, tecnología de recubrimiento SIC, competencia de mercado y innovación tecnológica de los semiconductores de Vetek.

¿Qué es el grafito poroso de alta pureza? - Vetek, este blog presenta principalmente el principio de trabajo específico del grafito poroso de alta pureza para el crecimiento de cristal único SiC por método PVT.