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Los cuatro fabricantes de grafito más potentes del mundo: SGL, Toyo Tanso, Tokai Carbon, Mersen y sus áreas típicas de grafito y aplicación típicas.

El artículo describe las excelentes propiedades físicas del fieltro de carbono, las razones específicas para elegir el recubrimiento SIC y el método y el principio del recubrimiento SIC sobre el fieltro de carbono. También analiza específicamente el uso del difractómetro de rayos X de avance D8 (DRD) para analizar la composición de fase de fieltro de carbono de recubrimiento SiC.

Los principales métodos para el cultivo de cristales de un solo SIC son: transporte de vapor físico (PVT), deposición de vapor químico de alta temperatura (HTCVD) y crecimiento de la solución de alta temperatura (HTSG).

Con el desarrollo de la industria solar fotovoltaica, los hornos de difusión y los hornos LPCVD son el equipo principal para la producción de células solares, que afectan directamente el rendimiento eficiente de las células solares. Según el rendimiento integral del producto y el costo de uso, los materiales cerámicos de carburo de silicio tienen más ventajas en el campo de las células solares que los materiales de cuarzo. La aplicación de materiales cerámicos de carburo de silicio en la industria fotovoltaica puede ayudar enormemente a las empresas fotovoltaicas a reducir los costos de inversión de materiales auxiliares, mejorar la calidad y la competitividad del producto. La tendencia futura de los materiales cerámicos de carburo de silicio en el campo fotovoltaico es principalmente hacia una mayor pureza, una capacidad de carga más fuerte, una mayor capacidad de carga y un costo más bajo.

El artículo analiza los desafíos específicos que enfrenta el proceso de recubrimiento CVD TaC para el crecimiento de monocristales de SiC durante el procesamiento de semiconductores, como el control de pureza y fuente de material, la optimización de los parámetros del proceso, la adhesión del recubrimiento, el mantenimiento de equipos y la estabilidad del proceso, la protección ambiental y el control de costos, como así como las correspondientes soluciones industriales.

Desde la perspectiva de la aplicación del crecimiento de un solo cristal de SIC, este artículo compara los parámetros físicos básicos del recubrimiento de TAC y el recubrimiento SIC, y explica las ventajas básicas del recubrimiento de TAC sobre el recubrimiento SIC en términos de alta resistencia a la temperatura, fuerte estabilidad química, impurezas reducidas y y reducidas costos más bajos.

Hay muchos tipos de equipos de medición en la fábrica Fab. El equipo común incluye equipos de medición del proceso de litografía, equipos de medición del proceso de grabado, equipo de medición del proceso de deposición de película delgada, equipo de medición del proceso de dopaje, equipo de medición del proceso CMP, equipo de detección de partículas de obleas y otros equipos de medición.

El recubrimiento de carburo tantalum (TAC) puede extender significativamente la vida útil de las piezas de grafito al mejorar la alta resistencia a la temperatura, la resistencia a la corrosión, las propiedades mecánicas y las capacidades de manejo térmico. Sus características de alta pureza reducen la contaminación por impurezas, mejoran la calidad del crecimiento del cristal y mejoran la eficiencia energética. Es adecuado para aplicaciones de fabricación de semiconductores y crecimiento de cristales en entornos de alta temperatura y altamente corrosivos.

Los recipientes de carburo tantalum (TAC) se usan ampliamente en el campo de semiconductores, principalmente para componentes del reactor de crecimiento epitaxial, componentes clave de crecimiento de cristal único, componentes industriales de alta temperatura, los calentadores de sistemas MOCVD y los portadores de obleas. Es una excelente resistencia a la temperatura y resistencia a la corrosión puede mejorar la durabilidad del equipo, el rendimiento y la calidad de cristal de la energía y mejorar la estadicidad.

Durante el proceso de crecimiento epitaxial de SIC, puede ocurrir una falla de suspensión de grafito recubierto de SIC. Este documento realiza un análisis riguroso del fenómeno de falla de la suspensión de grafito recubierto de SiC, que incluye principalmente dos factores: falla de gas epitaxial SIC y falla de recubrimiento SIC.

Este artículo discute principalmente las ventajas y diferencias del proceso respectivo del proceso de epitaxia del haz molecular y las tecnologías de deposición de vapor químico metal-orgánico.

El carburo de tantalio poroso de VeTek Semiconductor, como nueva generación de material de crecimiento de cristales de SiC, tiene muchas propiedades de producto excelentes y desempeña un papel clave en una variedad de tecnologías de procesamiento de semiconductores.

El principio de funcionamiento del horno epitaxial es depositar materiales semiconductores sobre un sustrato a alta temperatura y alta presión. El crecimiento epitaxial de silicio consiste en hacer crecer una capa de cristal con la misma orientación cristalina que el sustrato y diferente espesor sobre un sustrato monocristalino de silicio con una determinada orientación cristalina. Este artículo presenta principalmente los métodos de crecimiento epitaxial de silicio: epitaxia en fase de vapor y epitaxia en fase líquida.

La deposición de vapor químico (CVD) en la fabricación de semiconductores se utiliza para depositar materiales de películas delgadas en la cámara, incluidos SiO2, Sin, etc., y los tipos de uso común incluyen PECVD y LPCVD. Al ajustar el tipo de gas de temperatura, presión y reacción, CVD logra alta pureza, uniformidad y una buena cobertura de películas para cumplir con diferentes requisitos de proceso.

Este artículo describe principalmente las amplias perspectivas de aplicación de las cerámicas de carburo de silicio. También se centra en el análisis de las causas de las grietas por sinterización en cerámicas de carburo de silicio y las soluciones correspondientes.