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El crecimiento de PVT de carburo de silicio (SiC) implica ciclos térmicos severos (temperatura ambiente superior a 2200 ℃). La enorme tensión térmica generada entre el recubrimiento y el sustrato de grafito debido a la falta de coincidencia en los coeficientes de expansión térmica (CTE) es el desafío principal que determina la vida útil del recubrimiento y la confiabilidad de la aplicación.

​En el proceso de crecimiento de cristales PVT de carburo de silicio (SiC), la estabilidad y uniformidad del campo térmico determinan directamente la tasa de crecimiento de cristales, la densidad de defectos y la uniformidad del material. Como límite del sistema, los componentes del campo térmico exhiben propiedades termofísicas de la superficie cuyas ligeras fluctuaciones se amplifican dramáticamente en condiciones de alta temperatura, lo que en última instancia conduce a la inestabilidad en la interfaz de crecimiento.

En el proceso de crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC) mediante el método de transporte físico de vapor (PVT), la temperatura extremadamente alta de 2000 a 2500 °C es un “arma de doble filo”: si bien impulsa la sublimación y el transporte de los materiales originales, también intensifica dramáticamente la liberación de impurezas de todos los materiales dentro del sistema de campo térmico, especialmente los oligoelementos metálicos contenidos en los componentes convencionales de la zona caliente de grafito. Una vez que estas impurezas ingresan a la interfaz de crecimiento, dañarán directamente la calidad central del cristal. Esta es la razón fundamental por la que los recubrimientos de carburo de tantalio (TaC) se han convertido en una "opción obligatoria" en lugar de una "opción opcional" para el crecimiento de cristales de PVT.