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Los recipientes de carburo tantalum (TAC) se usan ampliamente en el campo de semiconductores, principalmente para componentes del reactor de crecimiento epitaxial, componentes clave de crecimiento de cristal único, componentes industriales de alta temperatura, los calentadores de sistemas MOCVD y los portadores de obleas. Es una excelente resistencia a la temperatura y resistencia a la corrosión puede mejorar la durabilidad del equipo, el rendimiento y la calidad de cristal de la energía y mejorar la estadicidad.

Durante el proceso de crecimiento epitaxial de SIC, puede ocurrir una falla de suspensión de grafito recubierto de SIC. Este documento realiza un análisis riguroso del fenómeno de falla de la suspensión de grafito recubierto de SiC, que incluye principalmente dos factores: falla de gas epitaxial SIC y falla de recubrimiento SIC.

Este artículo discute principalmente las ventajas y diferencias del proceso respectivo del proceso de epitaxia del haz molecular y las tecnologías de deposición de vapor químico metal-orgánico.

El carburo de tantalio poroso de VeTek Semiconductor, como nueva generación de material de crecimiento de cristales de SiC, tiene muchas propiedades de producto excelentes y desempeña un papel clave en una variedad de tecnologías de procesamiento de semiconductores.

El principio de funcionamiento del horno epitaxial es depositar materiales semiconductores sobre un sustrato a alta temperatura y alta presión. El crecimiento epitaxial de silicio consiste en hacer crecer una capa de cristal con la misma orientación cristalina que el sustrato y diferente espesor sobre un sustrato monocristalino de silicio con una determinada orientación cristalina. Este artículo presenta principalmente los métodos de crecimiento epitaxial de silicio: epitaxia en fase de vapor y epitaxia en fase líquida.

La deposición de vapor químico (CVD) en la fabricación de semiconductores se utiliza para depositar materiales de películas delgadas en la cámara, incluidos SiO2, Sin, etc., y los tipos de uso común incluyen PECVD y LPCVD. Al ajustar el tipo de gas de temperatura, presión y reacción, CVD logra alta pureza, uniformidad y una buena cobertura de películas para cumplir con diferentes requisitos de proceso.