Noticias de la industria

La tecnología de grabado en la fabricación de semiconductores a menudo encuentra problemas como el efecto de carga, el efecto de microranura y el efecto de carga, que afectan la calidad del producto. Las soluciones de mejora incluyen optimizar la densidad del plasma, ajustar la composición del gas de reacción, mejorar la eficiencia del sistema de vacío, diseñar un diseño de litografía razonable y seleccionar materiales de máscara de grabado y condiciones de proceso adecuados.

La sinterización de presión en caliente es el método principal para preparar la cerámica SIC de alto rendimiento. El proceso de sinterización de presión en caliente incluye: seleccionar polvo SIC de alta pureza, prensado y moldeo a alta temperatura y alta presión, y luego sinterización. La cerámica SIC preparada por este método tiene las ventajas de alta pureza y alta densidad, y se usan ampliamente en los discos de molienda y equipos de tratamiento térmico para el procesamiento de obleas.

Los métodos de crecimiento clave del carburo de silicio (SiC) incluyen PVT, TSSG y HTCVD, cada uno con distintas ventajas y desafíos. Los materiales de campo térmico a base de carbono, como sistemas de aislamiento, crisoles, revestimientos de TaC y grafito poroso, mejoran el crecimiento de los cristales al proporcionar estabilidad, conductividad térmica y pureza, esenciales para la fabricación y aplicación precisas del SiC.