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¿Cómo solucionar el problema de las grietas por sinterización en cerámicas de carburo de silicio? - Semiconductor VeTek29 2024-10

¿Cómo solucionar el problema de las grietas por sinterización en cerámicas de carburo de silicio? - Semiconductor VeTek

Este artículo describe principalmente las amplias perspectivas de aplicación de las cerámicas de carburo de silicio. También se centra en el análisis de las causas de las grietas por sinterización en cerámicas de carburo de silicio y las soluciones correspondientes.
Los problemas en el proceso de grabado24 2024-10

Los problemas en el proceso de grabado

La tecnología de grabado en la fabricación de semiconductores a menudo encuentra problemas como el efecto de carga, el efecto de microranura y el efecto de carga, que afectan la calidad del producto. Las soluciones de mejora incluyen optimizar la densidad del plasma, ajustar la composición del gas de reacción, mejorar la eficiencia del sistema de vacío, diseñar un diseño de litografía razonable y seleccionar materiales de máscara de grabado y condiciones de proceso adecuados.
¿Qué es la cerámica sic de prensado caliente?24 2024-10

¿Qué es la cerámica sic de prensado caliente?

La sinterización de presión en caliente es el método principal para preparar la cerámica SIC de alto rendimiento. El proceso de sinterización de presión en caliente incluye: seleccionar polvo SIC de alta pureza, prensado y moldeo a alta temperatura y alta presión, y luego sinterización. La cerámica SIC preparada por este método tiene las ventajas de alta pureza y alta densidad, y se usan ampliamente en los discos de molienda y equipos de tratamiento térmico para el procesamiento de obleas.
Aplicación de materiales de campo térmico a base de carbono en el crecimiento de cristal de carburo de silicio21 2024-10

Aplicación de materiales de campo térmico a base de carbono en el crecimiento de cristal de carburo de silicio

Los métodos de crecimiento clave del carburo de silicio (SiC) incluyen PVT, TSSG y HTCVD, cada uno con distintas ventajas y desafíos. Los materiales de campo térmico a base de carbono, como sistemas de aislamiento, crisoles, revestimientos de TaC y grafito poroso, mejoran el crecimiento de los cristales al proporcionar estabilidad, conductividad térmica y pureza, esenciales para la fabricación y aplicación precisas del SiC.
¿Por qué el recubrimiento SIC recibe tanta atención? - Semiconductor Vetek17 2024-10

¿Por qué el recubrimiento SIC recibe tanta atención? - Semiconductor Vetek

El SiC tiene alta dureza, conductividad térmica y resistencia a la corrosión, lo que lo hace ideal para la fabricación de semiconductores. El recubrimiento CVD SiC se crea mediante deposición química de vapor, lo que proporciona una alta conductividad térmica, estabilidad química y una constante de red correspondiente para el crecimiento epitaxial. Su baja expansión térmica y alta dureza garantizan durabilidad y precisión, lo que lo hace esencial en aplicaciones como portadores de obleas, anillos de precalentamiento y más. VeTek Semiconductor se especializa en recubrimientos de SiC personalizados para diversas necesidades de la industria.
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