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La solución al defecto de encapsulación de carbono en sustratos de carburo de silicio12 2026-01

La solución al defecto de encapsulación de carbono en sustratos de carburo de silicio

Con la transición energética global, la revolución de la IA y la ola de tecnologías de la información de nueva generación, el carburo de silicio (SiC) ha avanzado rápidamente de ser un "material potencial" a un "material fundamental estratégico" debido a sus excepcionales propiedades físicas.
¿Qué es el barco de oblea de cerámica de carburo de silicio (SiC)?08 2026-01

¿Qué es el barco de oblea de cerámica de carburo de silicio (SiC)?

En los procesos de semiconductores a alta temperatura, la manipulación, el soporte y el tratamiento térmico de las obleas dependen de un componente de soporte especial: el barco de la oblea. A medida que aumentan las temperaturas del proceso y aumentan los requisitos de limpieza y control de partículas, las obleas de cuarzo tradicionales revelan gradualmente problemas como una vida útil corta, altas tasas de deformación y poca resistencia a la corrosión.
¿Por qué el crecimiento de los cristales de SiC PVT es estable en la producción en masa?29 2025-12

¿Por qué el crecimiento de los cristales de SiC PVT es estable en la producción en masa?

Para la producción a escala industrial de sustratos de carburo de silicio, el éxito de un único ciclo de crecimiento no es el objetivo final. El verdadero desafío radica en garantizar que los cristales cultivados en diferentes lotes, herramientas y períodos de tiempo mantengan un alto nivel de consistencia y repetibilidad en la calidad. En este contexto, el papel del recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) va más allá de la protección básica: se convierte en un factor clave para estabilizar la ventana del proceso y salvaguardar el rendimiento del producto.
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