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La introducción de CO₂ en el agua de corte en cubitos durante el corte de obleas es una medida de proceso eficaz para suprimir la acumulación de carga estática y reducir el riesgo de contaminación, mejorando así el rendimiento del corte en cubitos y la confiabilidad de las virutas a largo plazo.

Las obleas de silicio son la base de los circuitos integrados y los dispositivos semiconductores. Tienen una característica interesante: bordes planos o pequeñas ranuras en los lados. No es un defecto, sino un marcador funcional diseñado deliberadamente. De hecho, esta muesca sirve como referencia direccional y marcador de identidad durante todo el proceso de fabricación.

El pulido químico mecánico (CMP) elimina el exceso de material y los defectos de la superficie mediante la acción combinada de reacciones químicas y abrasión mecánica. Es un proceso clave para lograr la planarización global de la superficie de la oblea y es indispensable para interconexiones de cobre multicapa y estructuras dieléctricas de baja k. En la fabricación práctica