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Todos hemos sentido ese momento de pánico. La batería de su teléfono es del 5%, tiene minutos libres, y cada segundo enchufado se siente como una eternidad. ¿Qué pasa si el secreto para poner fin a esta ansiedad no se encuentra en una química completamente nueva, sino en la reinvención de un material fundamental dentro de la batería en sí? Durante dos décadas a la vanguardia de la tecnología, he visto tendencias que van y vienen. Pero el zumbido alrededor del grafito poroso se siente diferente. No es solo un paso incremental; Representa un cambio fundamental en la forma en que abordamos el diseño de almacenamiento de energía.

En Vetek, hemos pasado décadas refinando nuestras soluciones de grafito isotrópicas para industrias que exigen confiabilidad a temperaturas altísimas. Vamos a sumergirnos en por qué este material es una opción superior, y cómo nuestros productos superan a la competencia.

Después de haber trabajado en la industria de semiconductores durante más de una década, entiendo de primera mano cuán desafiante puede ser la selección de materiales en entornos de alta temperatura y alta potencia. No fue hasta que me encontré con el bloque SIC de Vetek que finalmente encontré una solución realmente confiable.

En la industria de fabricación de semiconductores, a medida que el tamaño del dispositivo continúa reduciéndose, la tecnología de deposición de los materiales de película delgada ha planteado desafíos sin precedentes. La deposición de la capa atómica (ALD), como una tecnología de deposición de película delgada que puede lograr un control preciso a nivel atómico, se ha convertido en una parte indispensable de la fabricación de semiconductores. Este artículo tiene como objetivo introducir el flujo del proceso y los principios de ALD para ayudar a comprender su importante papel en la fabricación avanzada de chips.

Es ideal para construir circuitos integrados o dispositivos semiconductores sobre una capa base cristalina perfecta. El proceso de epitaxia (epi) en la fabricación de semiconductores tiene como objetivo depositar una fina capa monocristalina, generalmente de entre 0,5 y 20 micrones, sobre un sustrato monocristalino. El proceso de epitaxia es un paso importante en la fabricación de dispositivos semiconductores, especialmente en la fabricación de obleas de silicio.

La principal diferencia entre la epitaxia y la deposición de la capa atómica (ALD) radica en los mecanismos de crecimiento de la película y las condiciones de funcionamiento. La epitaxia se refiere al proceso de cultivo de una película delgada cristalina en un sustrato cristalino con una relación de orientación específica, manteniendo la misma estructura cristalina o similar. En contraste, ALD es una técnica de deposición que implica exponer un sustrato a diferentes precursores químicos en secuencia para formar una película delgada una capa atómica a la vez.

El recubrimiento CVD TAC es un proceso para formar un recubrimiento denso y duradero en un sustrato (grafito). Este método implica depositar TAC en la superficie del sustrato a altas temperaturas, lo que resulta en un recubrimiento de carburo tantálico (TAC) con excelente estabilidad térmica y resistencia química.

A medida que el proceso de carburo de silicio de 8 pulgadas (SIC) madura, los fabricantes están acelerando el cambio de 6 pulgadas a 8 pulgadas. Recientemente, en Semiconductor y Resonac anunciaron actualizaciones sobre la producción de SIC de 8 pulgadas.

Este artículo presenta los últimos desarrollos en el reactor CVD de pared caliente PE1O8 de nuevo diseño de la empresa italiana LPE y su capacidad para realizar epitaxia 4H-SiC uniforme en SiC de 200 mm.

Con la creciente demanda de materiales SIC en la electrónica de potencia, la optoelectrónica y otros campos, el desarrollo de la tecnología de crecimiento de cristal único SIC se convertirá en un área clave de innovación científica y tecnológica. Como el núcleo del equipo de crecimiento de un solo cristal de SIC, el diseño de campo térmico continuará recibiendo una amplia atención e investigación en profundidad.

A través del progreso tecnológico continuo y la investigación en profundidad de los mecanismos, se espera que la tecnología heteroepitaxial 3C-SiC desempeñe un papel más importante en la industria de los semiconductores y promueva el desarrollo de dispositivos electrónicos de alta eficiencia.

ALD espacial, deposición de capa atómica espacialmente aislada. La oblea se mueve entre diferentes posiciones y está expuesta a diferentes precursores en cada posición. La siguiente figura es una comparación entre ALD tradicional y ALD espacialmente aislado.

Recientemente, el Instituto de Investigación Alemán Fraunhofer IISB ha hecho un gran avance en la investigación y desarrollo de la tecnología de recubrimiento de carburo Tantalum, y ha desarrollado una solución de recubrimiento por pulverización que es más flexible y amigable con el medio ambiente que la solución de deposición de CVD, y se ha comercializado.

En una era de desarrollo tecnológico rápido, la impresión 3D, como un representante importante de la tecnología de fabricación avanzada, está cambiando gradualmente la cara de la fabricación tradicional. Con el vencimiento continuo de la tecnología y la reducción de los costos, la tecnología de impresión 3D ha mostrado amplias perspectivas de aplicaciones en muchos campos, como aeroespacial, fabricación de automóviles, equipos médicos y diseño arquitectónico, y ha promovido la innovación y el desarrollo de estas industrias.

Los materiales monocristalinos por sí solos no pueden satisfacer las necesidades de la creciente producción de diversos dispositivos semiconductores. A finales de 1959, se desarrolló una tecnología de crecimiento de material monocristalino de capa fina: el crecimiento epitaxial.

El carburo de silicio es uno de los materiales ideales para hacer dispositivos de alta temperatura, alta frecuencia, alta potencia y alto voltaje. Para mejorar la eficiencia de producción y reducir los costos, la preparación de sustratos de carburo de silicio de gran tamaño es una dirección de desarrollo importante.