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El carburo de tantalio poroso de VeTek Semiconductor, como nueva generación de material de crecimiento de cristales de SiC, tiene muchas propiedades de producto excelentes y desempeña un papel clave en una variedad de tecnologías de procesamiento de semiconductores.

El principio de funcionamiento del horno epitaxial es depositar materiales semiconductores sobre un sustrato a alta temperatura y alta presión. El crecimiento epitaxial de silicio consiste en hacer crecer una capa de cristal con la misma orientación cristalina que el sustrato y diferente espesor sobre un sustrato monocristalino de silicio con una determinada orientación cristalina. Este artículo presenta principalmente los métodos de crecimiento epitaxial de silicio: epitaxia en fase de vapor y epitaxia en fase líquida.

La deposición de vapor químico (CVD) en la fabricación de semiconductores se utiliza para depositar materiales de películas delgadas en la cámara, incluidos SiO2, Sin, etc., y los tipos de uso común incluyen PECVD y LPCVD. Al ajustar el tipo de gas de temperatura, presión y reacción, CVD logra alta pureza, uniformidad y una buena cobertura de películas para cumplir con diferentes requisitos de proceso.

Este artículo describe principalmente las amplias perspectivas de aplicación de las cerámicas de carburo de silicio. También se centra en el análisis de las causas de las grietas por sinterización en cerámicas de carburo de silicio y las soluciones correspondientes.