Noticias de la industria

La tecnología de grabado en la fabricación de semiconductores a menudo encuentra problemas como el efecto de carga, el efecto de microranura y el efecto de carga, que afectan la calidad del producto. Las soluciones de mejora incluyen optimizar la densidad del plasma, ajustar la composición del gas de reacción, mejorar la eficiencia del sistema de vacío, diseñar un diseño de litografía razonable y seleccionar materiales de máscara de grabado y condiciones de proceso adecuados.

La sinterización de presión en caliente es el método principal para preparar la cerámica SIC de alto rendimiento. El proceso de sinterización de presión en caliente incluye: seleccionar polvo SIC de alta pureza, prensado y moldeo a alta temperatura y alta presión, y luego sinterización. La cerámica SIC preparada por este método tiene las ventajas de alta pureza y alta densidad, y se usan ampliamente en los discos de molienda y equipos de tratamiento térmico para el procesamiento de obleas.

Los métodos de crecimiento clave del carburo de silicio (SiC) incluyen PVT, TSSG y HTCVD, cada uno con distintas ventajas y desafíos. Los materiales de campo térmico a base de carbono, como sistemas de aislamiento, crisoles, revestimientos de TaC y grafito poroso, mejoran el crecimiento de los cristales al proporcionar estabilidad, conductividad térmica y pureza, esenciales para la fabricación y aplicación precisas del SiC.

El SiC tiene alta dureza, conductividad térmica y resistencia a la corrosión, lo que lo hace ideal para la fabricación de semiconductores. El recubrimiento CVD SiC se crea mediante deposición química de vapor, lo que proporciona una alta conductividad térmica, estabilidad química y una constante de red correspondiente para el crecimiento epitaxial. Su baja expansión térmica y alta dureza garantizan durabilidad y precisión, lo que lo hace esencial en aplicaciones como portadores de obleas, anillos de precalentamiento y más. VeTek Semiconductor se especializa en recubrimientos de SiC personalizados para diversas necesidades de la industria.

El carburo de silicio (SIC) es un material semiconductor de alta precisión conocido por sus excelentes propiedades como alta resistencia a la temperatura, resistencia a la corrosión y alta resistencia mecánica. Tiene más de 200 estructuras de cristal, siendo 3C-SIC el único tipo cúbico, que ofrece una esfericidad y densificación natural superiores en comparación con otros tipos. 3C-SIC se destaca por su alta movilidad de electrones, lo que lo hace ideal para MOSFET en Power Electronics. Además, muestra un gran potencial en nanoelectrónica, LED azules y sensores.

El diamante, un posible "semiconductor definitivo" de cuarta generación, está ganando atención en los sustratos semiconductores debido a su excepcional dureza, conductividad térmica y propiedades eléctricas. Si bien su alto costo y sus desafíos de producción limitan su uso, la CVD es el método preferido. A pesar del dopaje y los desafíos relacionados con los cristales de gran superficie, el diamante es prometedor.

SIC y GaN son semiconductores de banda ancha con ventajas sobre el silicio, como voltajes de descomposición más altos, velocidades de conmutación más rápidas y eficiencia superior. SIC es mejor para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia debido a su mayor conductividad térmica, mientras que GaN se destaca en aplicaciones de alta frecuencia gracias a su movilidad de electrones superior.

La evaporación del haz de electrones es un método de revestimiento altamente eficiente y ampliamente utilizado en comparación con el calentamiento de resistencia, que calienta el material de evaporación con un haz de electrones, lo que hace que se vaporice y se condensa en una película delgada.

El recubrimiento de vacío incluye vaporización por material de película, transporte de vacío y crecimiento de películas delgadas. De acuerdo con los diferentes métodos de vaporización de material de película y procesos de transporte, el recubrimiento de vacío se puede dividir en dos categorías: PVD y CVD.

Este artículo describe los parámetros físicos y las características del producto del grafito poroso de VeTek Semiconductor, así como sus aplicaciones específicas en el procesamiento de semiconductores.

Este artículo analiza las características del producto y los escenarios de aplicación del recubrimiento de carburo tantalum y el recubrimiento de carburo de silicio desde múltiples perspectivas.

La deposición de película delgada es vital en la fabricación de chips, creando micro dispositivos depositando películas de menos de 1 micras de espesor a través de CVD, ALD o PVD. Estos procesos construyen componentes semiconductores mediante películas conductoras y aislantes alternativas.

El proceso de fabricación de semiconductores implica ocho pasos: procesamiento de obleas, oxidación, litografía, grabado, deposición de película delgada, interconexión, pruebas y empaquetado. El silicio de la arena se procesa en obleas, oxidada, estampada y grabada para circuitos de alta precisión.

Este artículo describe que el sustrato LED es la mayor aplicación de zafiro, así como los principales métodos de preparación de cristales de zafiro: crecientes cristales de zafiro por el método Czochralski, los cristales de zafiro crecientes por el método Kyropoulos, los cristales de zafiro cultivados por el método de molde guiado y el cultivo de cristales de zafiro mediante el método de intercambio de calor.

El artículo explica el gradiente de temperatura en un horno de cristal único. Cubre los campos de calor estáticos y dinámicos durante el crecimiento del cristal, la interfaz sólida-líquido y el papel del gradiente de temperatura en la solidificación.

El proceso Taiko Thins Silicon Wafers utilizando sus principios, ventajas técnicas y orígenes del proceso.