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El pulido químico mecánico (CMP) elimina el exceso de material y los defectos de la superficie mediante la acción combinada de reacciones químicas y abrasión mecánica. Es un proceso clave para lograr la planarización global de la superficie de la oblea y es indispensable para interconexiones de cobre multicapa y estructuras dieléctricas de baja k. En la fabricación práctica

La suspensión de pulido CMP (planarización química y mecánica) de obleas de silicio es un componente crítico en el proceso de fabricación de semiconductores. Desempeña un papel fundamental para garantizar que las obleas de silicio, utilizadas para crear circuitos integrados (CI) y microchips, se pulan hasta el nivel exacto de suavidad requerido para las siguientes etapas de producción.

En la fabricación de semiconductores, la planarización química y mecánica (CMP) desempeña un papel vital. El proceso CMP combina acciones químicas y mecánicas para suavizar la superficie de las obleas de silicio, proporcionando una base uniforme para pasos posteriores como la deposición de películas delgadas y el grabado. La lechada de pulido CMP, como componente central de este proceso, afecta significativamente la eficiencia del pulido, la calidad de la superficie y el rendimiento final del producto.