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El recubrimiento CVD TAC es un proceso para formar un recubrimiento denso y duradero en un sustrato (grafito). Este método implica depositar TAC en la superficie del sustrato a altas temperaturas, lo que resulta en un recubrimiento de carburo tantálico (TAC) con excelente estabilidad térmica y resistencia química.

A medida que el proceso de carburo de silicio de 8 pulgadas (SIC) madura, los fabricantes están acelerando el cambio de 6 pulgadas a 8 pulgadas. Recientemente, en Semiconductor y Resonac anunciaron actualizaciones sobre la producción de SIC de 8 pulgadas.

Este artículo presenta los últimos desarrollos en el reactor CVD de pared caliente PE1O8 de nuevo diseño de la empresa italiana LPE y su capacidad para realizar epitaxia 4H-SiC uniforme en SiC de 200 mm.

Con la creciente demanda de materiales SIC en la electrónica de potencia, la optoelectrónica y otros campos, el desarrollo de la tecnología de crecimiento de cristal único SIC se convertirá en un área clave de innovación científica y tecnológica. Como el núcleo del equipo de crecimiento de un solo cristal de SIC, el diseño de campo térmico continuará recibiendo una amplia atención e investigación en profundidad.

A través del progreso tecnológico continuo y la investigación en profundidad de los mecanismos, se espera que la tecnología heteroepitaxial 3C-SiC desempeñe un papel más importante en la industria de los semiconductores y promueva el desarrollo de dispositivos electrónicos de alta eficiencia.

ALD espacial, deposición de capa atómica espacialmente aislada. La oblea se mueve entre diferentes posiciones y está expuesta a diferentes precursores en cada posición. La siguiente figura es una comparación entre ALD tradicional y ALD espacialmente aislado.