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A medida que el proceso de carburo de silicio de 8 pulgadas (SIC) madura, los fabricantes están acelerando el cambio de 6 pulgadas a 8 pulgadas. Recientemente, en Semiconductor y Resonac anunciaron actualizaciones sobre la producción de SIC de 8 pulgadas.

Este artículo presenta los últimos desarrollos en el reactor CVD de pared caliente PE1O8 de nuevo diseño de la empresa italiana LPE y su capacidad para realizar epitaxia 4H-SiC uniforme en SiC de 200 mm.

Con la creciente demanda de materiales SIC en la electrónica de potencia, la optoelectrónica y otros campos, el desarrollo de la tecnología de crecimiento de cristal único SIC se convertirá en un área clave de innovación científica y tecnológica. Como el núcleo del equipo de crecimiento de un solo cristal de SIC, el diseño de campo térmico continuará recibiendo una amplia atención e investigación en profundidad.

A través del progreso tecnológico continuo y la investigación en profundidad de los mecanismos, se espera que la tecnología heteroepitaxial 3C-SiC desempeñe un papel más importante en la industria de los semiconductores y promueva el desarrollo de dispositivos electrónicos de alta eficiencia.