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Smart Cut es un proceso avanzado de fabricación de semiconductores basado en la implantación de iones y la eliminación de obleas, específicamente diseñado para la producción de obleas ultra delgadas y altamente uniformes 3C-SIC (carburo de silicio cúbico). Puede transferir materiales de cristal ultra delgados de un sustrato a otro, rompiendo así las limitaciones físicas originales y cambiando toda la industria del sustrato.

En la preparación de sustratos de carburo de silicio de alta calidad y alta calidad, el núcleo requiere un control preciso de la temperatura de producción por buenos materiales de campo térmico. Actualmente, los kits de crisol de campo térmico utilizados principalmente son componentes estructurales de grafito de alta pureza, cuyas funciones son calentar el polvo de carbono fundido y el polvo de silicio, así como para mantener el calor.

Cuando vea los semiconductores de tercera generación, seguramente se preguntará cuáles fueron las primeras y segundas generaciones. La "generación" aquí se clasifica en función de los materiales utilizados en la fabricación de semiconductores.