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¿Breakthrough de la tecnología de carburo tantalum, contaminación epitaxial sic reducida en un 75%?27 2024-07

¿Breakthrough de la tecnología de carburo tantalum, contaminación epitaxial sic reducida en un 75%?

Recientemente, el Instituto de Investigación Alemán Fraunhofer IISB ha hecho un gran avance en la investigación y desarrollo de la tecnología de recubrimiento de carburo Tantalum, y ha desarrollado una solución de recubrimiento por pulverización que es más flexible y amigable con el medio ambiente que la solución de deposición de CVD, y se ha comercializado.
Aplicación exploratoria de tecnología de impresión 3D en la industria de semiconductores19 2024-07

Aplicación exploratoria de tecnología de impresión 3D en la industria de semiconductores

En una era de desarrollo tecnológico rápido, la impresión 3D, como un representante importante de la tecnología de fabricación avanzada, está cambiando gradualmente la cara de la fabricación tradicional. Con el vencimiento continuo de la tecnología y la reducción de los costos, la tecnología de impresión 3D ha mostrado amplias perspectivas de aplicaciones en muchos campos, como aeroespacial, fabricación de automóviles, equipos médicos y diseño arquitectónico, y ha promovido la innovación y el desarrollo de estas industrias.
Tecnología de preparación de epitaxia de silicio (SI)16 2024-07

Tecnología de preparación de epitaxia de silicio (SI)

Los materiales monocristalinos por sí solos no pueden satisfacer las necesidades de la creciente producción de diversos dispositivos semiconductores. A finales de 1959, se desarrolló una tecnología de crecimiento de material monocristalino de capa fina: el crecimiento epitaxial.
Basado en tecnología de horno de un solo cristal de carburo de silicio de 8 pulgadas11 2024-07

Basado en tecnología de horno de un solo cristal de carburo de silicio de 8 pulgadas

El carburo de silicio es uno de los materiales ideales para hacer dispositivos de alta temperatura, alta frecuencia, alta potencia y alto voltaje. Para mejorar la eficiencia de producción y reducir los costos, la preparación de sustratos de carburo de silicio de gran tamaño es una dirección de desarrollo importante.
Según se informa, las empresas chinas están desarrollando chips de 5 nm con Broadcom.10 2024-07

Según se informa, las empresas chinas están desarrollando chips de 5 nm con Broadcom.

Según Overseas News, dos fuentes revelaron el 24 de junio que el bytedance está trabajando con la compañía de diseño de chips de EE. UU. Broadcom para desarrollar un procesador de computación de inteligencia artificial (IA) avanzada, que ayudará a los bytedance garantizar un suministro adecuado de chips de alta gama en medio de tensiones entre China y los Estados Unidos.
Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: ¡Se espera que los chips de SiC de 8 pulgadas entren en producción en diciembre!09 2024-07

Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: ¡Se espera que los chips de SiC de 8 pulgadas entren en producción en diciembre!

Como fabricante líder en la industria del SiC, las dinámicas relacionadas de Sanan Optoelectronics han recibido amplia atención en la industria. Recientemente, Sanan Optoelectronics reveló una serie de últimos desarrollos que involucran la transformación de 8 pulgadas, la producción de nuevas fábricas de sustratos, el establecimiento de nuevas empresas, subsidios gubernamentales y otros aspectos.
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