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Part de repuesto de recubrimiento TAC
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Part de repuesto de recubrimiento TAC

El recubrimiento TAC se utiliza actualmente principalmente en procesos como el crecimiento de un solo cristal de carburo de silicio (método PVT), disco epitaxial (incluida la epitaxia de carburo de silicio, la epitaxia LED), etc. combinada con la buena estabilidad a largo plazo de la placa de recubrimiento de TAC, la placa de recubrimiento de Veteksemicon se ha convertido en el benchmark para la placa de recubrimiento de TAC. Esperamos que se convierta en nuestro socio a largo plazo.

Es semiconductorPlaca de recubrimiento TACes un material especial ampliamente utilizado en elsemiconductorproceso de fabricación. Combinado con su alta dureza y resistencia al desgaste, una alta resistencia a la temperatura, resistencia a la corrosión, un coeficiente de baja fricción y una buena conductividad térmica, la placa de recubrimiento de TAC juega un papel irremplazable en muchos enlaces del procesamiento de semiconductores.


En general, las aplicaciones dePlacas recubiertas de TACEn el procesamiento de semiconductores son los siguientes:


● Sustrato de crecimiento CVD/ALD: La alta resistencia a la temperatura, la estabilidad química y el coeficiente de baja fricción de las placas recubiertas de TAC los convierten en sustratos ideales de crecimiento CVD/ALD. Puede proporcionar un entorno de crecimiento estable para garantizar la uniformidad y la densidad de la película.

●  Placa de máscara de grabado: La alta dureza y la resistencia a la corrosión de las placas recubiertas de TAC les permiten resistir procesos de alta energía, como el grabado en plasma, como placas de máscara de grabado, protegiendo la película subyacente.

●  Plataforma de pulido CMP: La resistencia al desgaste y el coeficiente de baja fricción de las placas recubiertas de TAC los convierten en materiales ideales para almohadillas de pulido CMP, que pueden eliminar efectivamente partículas y defectos en la superficie de la película.

●  Tubo de horno de alta temperatura: La alta resistencia a la temperatura y la resistencia a la corrosión de las placas recubiertas de TAC les permiten usarse como tubos de horno en hornos de alta temperatura para recocido, difusión y otros procesos de alta temperatura.


Parámetros técnicos de recubrimiento CVD TAC

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD
Propiedad
Valor típico
Estructura cristalina Policristalina de fase β FCC, principalmente (111) orientada
Densidad de recubrimiento SIC CVD
3.21 g/cm³
Dureza de recubrimiento SIC
2500 Vickers Dureza (500 g de carga)
Tamaño de grano
2 ~ 10 mm
Pureza química
99.99995%
Capacidad de calor
640 j · kg-1· K-1
Temperatura de sublimación
2700 ℃
Resistencia a la flexión
415 MPA RT 4 puntos
Módulo de Young
430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Conductividad térmica
300W · m-1· K-1
Expansión térmica (CTE)
4.5 × 10-6K-1

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