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Anillos de guía de recubrimiento TAC
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Anillos de guía de recubrimiento TAC

Como fabricante líder de productos de anillos de guía de recubrimiento TAC en China, los anillos de guía recubiertos de TAC de semiconductores Vetek son componentes importantes en los equipos de MOCVD, asegurando la entrega precisa y estable de gas durante el crecimiento epitaxial, y son un material indispensable en el crecimiento epitaxial semiconductor. Bienvenido para consultarnos.

Función de los anillos de guía de recubrimiento TAC:


Control de flujo de gas preciso: ElAnillo de guía de recubrimiento TACse coloca estratégicamente dentro del sistema de inyección de gas delReactor mocvd. Su función principal es dirigir el flujo de gases precursores y garantizar su distribución uniforme en la superficie de la oblea de sustrato. Este control preciso sobre la dinámica del flujo de gas es esencial para lograr el crecimiento uniforme de la capa epitaxial y las propiedades del material deseadas.

Gestión térmica: Los anillos de la Guía de recubrimiento TAC a menudo operan a temperaturas elevadas debido a su proximidad al susceptor y sustrato calentados. La excelente conductividad térmica de TAC ayuda a disipar el calor de manera efectiva, evitando el sobrecalentamiento localizado y manteniendo un perfil de temperatura estable dentro de la zona de reacción.


Ventajas de TAC en MOCVD:


Resistencia extrema de la temperatura: TAC cuenta con uno de los puntos de fusión más altos entre todos los materiales, superiores a 3800 ° C.

Inercia química sobresaliente: TAC exhibe una resistencia excepcional a la corrosión y un ataque químico de los gases precursores reactivos utilizados en MOCVD, como amoníaco, silano y varios compuestos orgánicos metálicos.


Propiedades físicas deRecubrimiento TAC:

Propiedades físicas deRecubrimiento TAC
Densidad
14.3 (g/cm³)
Emisividad específica
0.3
Coeficiente de expansión térmica
6.3*10-6/K
Dureza (HK)
2000 HK
Resistencia
1 × 10-5Ohm*cm
Estabilidad térmica
<2500 ℃
Cambios de tamaño de grafito
-10 ~ -20um
Espesor de revestimiento
≥20um valor típico (35um ± 10um)


Beneficios para el rendimiento de MOCVD:


El uso del anillo de guía de recubrimiento TAC de semiconductores Vetek en equipos MOCVD contribuye significativamente a:

Aumento de tiempo de actividad del equipo: La durabilidad y la vida útil extendida del anillo de guía de recubrimiento TAC reducen la necesidad de reemplazos frecuentes, minimizan el tiempo de inactividad de mantenimiento y maximizan la eficiencia operativa del sistema MOCVD.

Estabilidad del proceso mejorada: La estabilidad térmica y la inercia química de TAC contribuyen a un entorno de reacción más estable y controlado dentro de la cámara MOCVD, minimizando las variaciones del proceso y mejorando la reproducibilidad.

Uniformidad mejorada de la capa epitaxial: El control preciso del flujo de gas facilitado por los anillos de la guía de recubrimiento TAC asegura una distribución de precursores uniformes, lo que resulta en altamente uniformecrecimiento de la capa epitaxialcon espesor y composición consistentes.


Revestimiento de carburo tantalum (TAC)en una sección transversal microscópica:

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4


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