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Anillo guía de recubrimiento TaC
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Anillo guía de recubrimiento TaC

El anillo de la guía de recubrimiento TAC del semiconductor de Vetek se crea aplicando el recubrimiento de carburo Tantalum en piezas de grafito utilizando una técnica altamente avanzada llamada deposición de vapor químico (CVD). Este método está bien establecido y ofrece propiedades de recubrimiento excepcionales. Al utilizar el anillo de la guía de recubrimiento TAC, la vida útil de los componentes de grafito se puede extender significativamente, el movimiento de las impurezas de grafito se puede suprimir y la calidad de cristal único SIC y AIN se puede mantener de manera confiable. Bienvenido a Invirys.

Vetek Semiconductor es un anillo profesional de guía de recubrimiento TAC China, crisol de recubrimiento TAC, fabricante y proveedor de soporte de semillas.

El crisol con revestimiento de TaC, el soporte de semillas y el anillo guía con revestimiento de TaC en horno monocristalino de SiC y AIN se cultivaron mediante el método PVT.

Cuando se utiliza el método de transporte físico de vapor (PVT) para preparar SiC, el cristal semilla se encuentra en la región de temperatura relativamente baja y la materia prima de SiC se encuentra en la región de temperatura relativamente alta (por encima de 2400 ℃). La descomposición de la materia prima produce SiXCy (que incluye principalmente Si, SiC₂, Si₂C, etc.). El material en fase de vapor se transporta desde la región de alta temperatura hasta el cristal semilla en la región de baja temperatura, y se nuclea y crece. Para formar un solo cristal. Los materiales del campo térmico utilizados en este proceso, como el crisol, el anillo guía de flujo y el soporte del cristal semilla, deben ser resistentes a altas temperaturas y no contaminarán las materias primas de SiC ni los monocristales de SiC. De manera similar, los elementos calefactores en el crecimiento de monocristales de AlN deben ser resistentes al vapor de Al, a la corrosión por N₂ y deben tener una temperatura eutéctica alta (y AlN) para acortar el período de preparación del cristal.

Se descubrió que el SIC y ALN preparados por los materiales de campo térmico de grafito recubierto de TAC eran más limpios, casi sin carbono (oxígeno, nitrógeno) y otras impurezas, menos defectos de borde, menor resistividad en cada región y la densidad de microporos y la densidad del pozo de grabado fueron Se redujo significativamente (después del grabado de KOH), y la calidad del cristal mejoró considerablemente. Además, la tasa de pérdida de peso del crisol TAC es casi cero, la apariencia no es destructiva, puede reciclar (vida hasta 200 h), puede mejorar la sostenibilidad y la eficiencia de dicha preparación de cristales individuales.


SiC prepared by PVT method


Parámetro del producto del anillo guía de recubrimiento TaC:

Propiedades físicas del recubrimiento TAC
Densidad 14,3 (g/cm³)
Emisividad específica 0.3
Coeficiente de expansión térmica 6.3 10-6/K
Dureza (HK) 2000 Hong Kong
Resistencia 1 × 10-5Ohmios*cm
Estabilidad térmica <2500℃
Cambios de tamaño de grafito -10 ~ -20um
Espesor del recubrimiento ≥20um valor típico (35um ± 10um)


Tiendas de producción:

VeTek Semiconductor Production Shop


Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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