¿Sabes sobre MOCVD susceptor?

En el proceso de deposición de vapor químico de metal-orgánico (MOCVD), el supcor es un componente clave responsable de apoyar la oblea y garantizar la uniformidad y el control preciso del proceso de deposición. Su selección de material y las características del producto afectan directamente la estabilidad del proceso epitaxial y la calidad del producto.

Soporte de mocvd(Deposición de vapor químico de metal-orgánico) es un componente de proceso clave en la fabricación de semiconductores. Se utiliza principalmente en el proceso MOCVD (deposición de vapor químico de metal-orgánico) para soportar y calentar la oblea para la deposición de película delgada. El diseño y la selección de material del supctor son cruciales para la uniformidad, la eficiencia y la calidad del producto final.

Tipo de producto y selección de material:

El diseño y la selección de material del susceptor MOCVD son diversos, generalmente determinados por los requisitos del proceso y las condiciones de reacción.Los siguientes son tipos de productos comunes y sus materiales:

Susceptor recubierto de sic(Susceptor recubierto de carburo de silicio):

Descripción: Susceptor con recubrimiento SIC, con grafito u otros materiales de alta temperatura como sustrato, y recubrimiento SIC CVD (recubrimiento CVD SIC) en la superficie para mejorar su resistencia al desgaste y resistencia a la corrosión.

Aplicación: ampliamente utilizado en procesos MOCVD en ambientes de gas de alta temperatura y altamente corrosivo, especialmente en epitaxia de silicio y deposición de semiconductores compuestos.

Subos recubiertos de TAC:

Descripción: Susceptor con recubrimiento TAC (recubrimiento CVD TAC) ya que el material principal tiene dureza y estabilidad química extremadamente alta y es adecuado para su uso en entornos extremadamente corrosivos.

Aplicación: Utilizado en procesos MOCVD que requieren una mayor resistencia a la corrosión y resistencia mecánica, como la deposición de nitruro de galio (GaN) y arsenuro de galio (GAA).

Susceptor de grafito recubierto de carburo de silicio para MOCVD:

Descripción: El sustrato es de grafito, y la superficie está cubierta con una capa de recubrimiento CVD SiC para garantizar la estabilidad y la larga vida útil a altas temperaturas.

Aplicación: Adecuado para su uso en equipos como los reactores de Aixtron MOCVD para fabricar materiales semiconductores compuestos de alta calidad.

Soporte de EPI (seguidor de epitaxia):

Descripción: Susceptor especialmente diseñado para el proceso de crecimiento epitaxial, generalmente con recubrimiento SIC o recubrimiento TAC para mejorar su conductividad térmica y durabilidad.

Aplicación: en epitaxia de silicio y epitaxia de semiconductores compuestos, se utiliza para garantizar un calentamiento uniforme y deposición de obleas.

Papel principal del susceptor para MOCVD en el procesamiento de semiconductores:

Soporte de obleas y calefacción uniforme:

Función: El susceptor se utiliza para admitir obleas en reactores MOCVD y proporcionar una distribución de calor uniforme a través del calentamiento de inducción u otros métodos para garantizar una deposición de película uniforme.

Conducción de calor y estabilidad:

Función: la conductividad térmica y la estabilidad térmica de los materiales de susceptores son cruciales. El susceptor recubierto de SIC y el susceptor recubierto de TAC pueden mantener la estabilidad en los procesos de alta temperatura debido a su alta conductividad térmica y alta resistencia a la temperatura, evitando los defectos de la película causados ​​por una temperatura desigual.

Resistencia a la corrosión y larga vida:

Función: en el proceso MOCVD, el susceptor está expuesto a varios gases precursores químicos. El recubrimiento SIC y el recubrimiento TAC proporcionan una excelente resistencia a la corrosión, reducen la interacción entre la superficie del material y el gas de reacción, y extiende la vida útil del susceptor.

Optimización del entorno de reacción:

Función: mediante el uso de susceptores de alta calidad, el campo de flujo de gas y temperatura en el reactor MOCVD está optimizado, asegurando un proceso uniforme de deposición de película y mejorando el rendimiento y el rendimiento del dispositivo. Por lo general, se usa en susceptores para reactores MOCVD y equipos de MOCVD de Aixtron.

Características del producto y ventajas técnicas：

Alta conductividad térmica y estabilidad térmica:

Características: Los susceptores recubiertos de SIC y TAC tienen una conductividad térmica extremadamente alta, pueden distribuir el calor de manera rápida y uniforme y mantener la estabilidad estructural a altas temperaturas para garantizar un calentamiento uniforme de las obleas.

Ventajas: adecuadas para procesos de MOCVD que requieren un control de temperatura preciso, como el crecimiento epitaxial de semiconductores compuestos como el nitruro de galio (GaN) y el arsenuro de galio (GAA).

Excelente resistencia a la corrosión:

Características: El recubrimiento SIC CVD y el recubrimiento CVD TAC tienen una inercia química extremadamente alta y pueden resistir la corrosión de gases altamente corrosivos como cloruros y fluoruros, protegiendo el sustrato del susceptor del daño.

Ventajas: Extienda la vida útil del susceptor, reduzca la frecuencia de mantenimiento y mejore la eficiencia general del proceso MOCVD.

Alta resistencia y dureza mecánica:

Características: La alta dureza y la resistencia mecánica de los recubrimientos SIC y TAC permiten al susceptor a resistir el estrés mecánico en ambientes de alta temperatura y alta presión y mantener la estabilidad y precisión a largo plazo.

Ventajas: particularmente adecuadas para procesos de fabricación de semiconductores que requieren una alta precisión, como el crecimiento epitaxial y la deposición de vapor químico.

Perspectivas de aplicación y desarrollo de mercado

Susceptores de MOCVDse utilizan ampliamente en la fabricación de LED de alta brillo, dispositivos electrónicos de potencia (como HEMT a base de GaN), células solares y otros dispositivos optoelectrónicos. Con la creciente demanda de un mayor rendimiento y un menor consumo de dispositivos semiconductores de consumo de energía, la tecnología MOCVD continúa avanzando, impulsando la innovación en materiales y diseños de susceptores. Por ejemplo, desarrollar tecnología de recubrimiento SIC con mayor pureza y menor densidad de defectos, y optimizar el diseño estructural de susceptor para adaptarse a obleas más grandes y procesos epitaxiales múltiples más complejos.

Vetek Semiconductor Technology Co., Ltd es un proveedor líder de materiales de recubrimiento avanzados para la industria de semiconductores. Nuestra empresa se enfoca en desarrollar soluciones de vanguardia para la industria.

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