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Susceptor MOCVD con revestimiento TaC
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Susceptor MOCVD con revestimiento TaC

Vetek Semiconductor es un proveedor integral involucrado en la investigación, desarrollo, producción, diseño y ventas de recubrimientos TAC y piezas de recubrimiento SIC. Nuestra experiencia radica en la producción de susceptor MOCVD de vanguardia con el recubrimiento TAC, que juega un papel vital en el proceso de epitaxia LED. Le damos la bienvenida para discutir con nosotros las consultas y más información.

VeTek Semiconductor es un fabricante, proveedor y exportador líder en China que se especializa en susceptor MOCVD conRecubrimiento TAC. Te dan la bienvenida a venir a nuestra fábrica para comprar los últimos susceptores de MOCVD de venta, bajo precio y alta calidad con recubrimiento TAC. Esperamos cooperar contigo.


La epitaxia LED enfrenta desafíos como el control de calidad del cristal, la selección y combinación de materiales, el diseño y optimización estructural, el control y la consistencia del proceso y la eficiencia de extracción de luz. Elegir el material portador de oblea de epitaxia adecuado es crucial, y recubrirlo con una película delgada de carburo de tantalio (TaC) (recubrimiento de TaC) proporciona ventajas adicionales.


Al seleccionar un material portador de oblea de epitaxia, se deben considerar varios factores clave:


● Tolerancia a la temperatura y estabilidad química.: Los procesos de epitaxia LED implican altas temperaturas y pueden implicar el uso de productos químicos. Por lo tanto, es necesario elegir materiales con buena tolerancia a la temperatura y estabilidad química para garantizar la estabilidad del soporte en entornos químicos y de alta temperatura.

● Surfletness y resistencia al desgaste: La superficie del portador de obleas de epitaxia debe tener una buena planitud para garantizar un contacto uniforme y un crecimiento estable de la oblea de epitaxia. Además, la resistencia al desgaste es importante para prevenir el daño de la superficie y la abrasión.

● Conductividad térmica: Elegir un material con buena conductividad térmica ayuda a disipar el calor de manera efectiva, manteniendo una temperatura de crecimiento estable para la capa de epitaxia y mejorando la estabilidad y consistencia del proceso.


En este sentido, el recubrimiento del portador de obleas de epitaxy con TAC ofrece las siguientes ventajas:


● Estabilidad a alta temperatura: El recubrimiento TaC exhibe una excelente estabilidad a altas temperaturas, lo que le permite mantener su estructura y rendimiento durante los procesos de epitaxia a altas temperaturas y proporciona una tolerancia superior a la temperatura.

● Estabilidad química: El recubrimiento TaC es resistente a la corrosión causada por sustancias químicas y atmósferas comunes, lo que protege al soporte de la degradación química y mejora su durabilidad.

● Resistencia a la dureza y el desgaste: El recubrimiento TAC posee alta dureza y resistencia al desgaste, fortaleciendo la superficie del portador de obleas de epitaxia, reduciendo el daño y el desgaste, y prolonga su vida útil.

● Conductividad térmica: El recubrimiento de TaC demuestra una buena conductividad térmica, lo que ayuda a la disipación del calor, mantiene una temperatura de crecimiento estable para la capa de epitaxia y mejora la estabilidad y consistencia del proceso.


Por lo tanto, elegir un portador de oblea de epitaxia con un recubrimiento de TaC ayuda a abordar los desafíos de la epitaxia LED, cumpliendo con los requisitos de entornos químicos y de alta temperatura. Este recubrimiento ofrece ventajas como estabilidad a altas temperaturas, estabilidad química, dureza y resistencia al desgaste, y conductividad térmica, lo que contribuye a mejorar el rendimiento, la vida útil y la eficiencia de producción del portador de oblea epitaxia.


Propiedades físicas básicas del recubrimiento TaC:


Propiedades físicas del recubrimiento TaC.
Densidad de recubrimiento 14,3 (g/cm³)
Emisividad específica 0.3
Coeficiente de expansión térmica 6.3*10-6/K
Dureza de recubrimiento TAC (HK) 2000 Hong Kong
Resistencia 1 × 10-5Ohmios*cm
Estabilidad térmica <2500℃
Cambios de tamaño de grafito -10~-20um
Espesor de revestimiento ≥20um valor típico (35um ± 10um)


Es semiconductorSusceptor MOCVD con revestimiento TaCTienda de producción

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Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain

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