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LPE SiC EPI Media Luna
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LPE SiC EPI Media Luna

LPE SiC Epi Halfmoon es un diseño especial para horno de epitaxia horizontal, un producto revolucionario diseñado para elevar los procesos de epitaxia de SiC del reactor LPE. Esta solución de vanguardia cuenta con varias características clave que garantizan un rendimiento y una eficiencia superiores en todas sus operaciones de fabricación. Vetek Semiconductor es profesional en la fabricación de media luna LPE SiC Epi en 6 y 8 pulgadas. Esperamos establecer una cooperación a largo plazo con usted.

Como fabricante y proveedor profesional de LPE SiC Epi Halfmoon, a VeTek Semiconductor le gustaría ofrecerle LPE SiC Epi Halfmoon de alta calidad.


LPE SiC Epi Halfmoon de VeTek Semiconductor, un producto revolucionario diseñado para elevar los procesos de epitaxia de SiC del reactor LPE. Esta solución de vanguardia cuenta con varias características clave que garantizan un rendimiento y una eficiencia superiores en todas sus operaciones de fabricación.


El LPE SiC Epi Halfmoon ofrece precisión y exactitud excepcionales, garantizando un crecimiento uniforme y capas epitaxiales de alta calidad. Su diseño innovador y técnicas de fabricación avanzadas brindan soporte de oblea y gestión térmica óptimos, brindando resultados consistentes y minimizando defectos. Además, el LPE SiC Epi Halfmoon está recubierto con una capa de carburo de tantalio (TaC) de primera calidad, lo que mejora su rendimiento y durabilidad. Este recubrimiento de TaC mejora significativamente la conductividad térmica, la resistencia química y la resistencia al desgaste, protegiendo el producto y extendiendo su vida útil.


La integración del recubrimiento TaC en LPE SiC Epi Halfmoon aporta mejoras significativas al flujo de su proceso. Mejora la gestión térmica, asegurando una disipación eficiente del calor y manteniendo una temperatura de crecimiento estable. Esta mejora conduce a una mayor estabilidad del proceso, una reducción del estrés térmico y un mejor rendimiento general. Además, el recubrimiento TAC minimiza la contaminación del material, lo que permite un limpiador y más proceso de epitaxia controlada. Actúa como una barrera contra reacciones e impurezas no deseadas, lo que da como resultado capas epitaxiales de mayor pureza y un mejor rendimiento del dispositivo.


Elija el semiconductor Vetek's LPE SIC EPI Halfmoon para procesos de epitaxia inigualables. Experimentar los beneficios de su diseño avanzado, precisión y el poder transformador delRecubrimiento TACen optimizar sus operaciones de fabricación. Eleve su rendimiento y logre resultados excepcionales con la solución líder de la industria de Vetek Semiconductor.


Parámetro del producto de la media luna LPE SIC EPI

Propiedades físicas del recubrimiento TAC
Densidad de recubrimiento 14,3 (g/cm³)
Emisividad específica 0.3
Coeficiente de expansión térmica 6.3*10-6/K
Dureza del recubrimiento TaC (HK) 2000 Hong Kong
Resistencia 1 × 10-5Ohm*cm
Estabilidad térmica <2500℃
Cambios de tamaño de grafito -10 ~ -20um
Espesor de revestimiento Valor típico ≥20um (35um±10um)


Taller de producción de media luna VeTek Semiconductor LPE SiC EPI

VeTek Semiconductor LPE SiC EPI Halfmoon Production Shop


Descripción general de la cadena industrial de la epitaxia de chip de semiconductores:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


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