Titular de la oblea EPI

Vetek Semiconductor admite servicios de productos personalizados, por lo que el titular de la oblea EPI puede proporcionarle servicios de productos personalizados basados ​​en el tamaño deloblea(100 mm, 150 mm, 200 mm, 300 mm, etc.). Esperamos sinceramente ser su socio a largo plazo en China.

La función y el principio de funcionamiento de los titulares de la oblea EPI

En el ámbito de la fabricación de semiconductores, el proceso de epitaxia es crucial para fabricar dispositivos semiconductores de alto rendimiento. En el corazón de este proceso está el titular de la oblea EPI, que juega un papel central para garantizar la calidad y eficiencia decrecimiento epitaxial.

El titular de la oblea EPI está diseñado principalmente para mantener de forma segura la oblea durante el proceso de epitaxia. Su tarea clave es mantener la oblea en un entorno de temperatura y flujo de gas controlado con precisión. Este control meticuloso permite que el material epitaxial se deposite uniformemente en la superficie de la oblea, un paso crítico para crear capas semiconductores uniformes y de alta calidad.

Bajo las condiciones de alta temperatura típicas del proceso de epitaxia, el soporte de oblea EPI sobresale en su función. Se fija firmemente la oblea dentro de la cámara de reacción mientras evita escrupulosamente cualquier daño potencial, como rasguños, y evita la contaminación de las partículas en la superficie de la oblea.

Propiedades del material:Por quéCarburo de silicio (sic)Brillo

Los titulares de obleas EPI a menudo se elaboran a partir de carburo de silicio (sic), un material que ofrece una combinación única de propiedades beneficiosas. SIC tiene un coeficiente de expansión térmica baja de aproximadamente 4.0 x 10⁻⁶ /° C. Esta característica es fundamental para mantener la estabilidad dimensional del soporte a temperaturas elevadas. Al minimizar la expansión térmica, evita efectivamente el estrés en la oblea que de otro modo podría resultar de cambios de tamaño relacionados con la temperatura.

Además, SIC cuenta con una excelente estabilidad de alta temperatura. Puede resistir perfectamente las altas temperaturas que van desde 1.200 ° C a 1.600 ° C requeridas en el proceso de epitaxia. Junto con su excepcional resistencia a la corrosión y una conductividad térmica admirable (generalmente entre 120 y 160 W/mk), SIC emerge como la opción óptima para los titulares de obleas epitaxiales.

Funciones clave en el proceso epitaxial

La importancia del titular de la oblea EPI en el proceso epitaxial no puede ser exagerada. Funciona como un portador estable bajo ambientes de alta temperatura y gas corrosivo, lo que garantiza que la oblea no se vea afectada durante el crecimiento epitaxial y fomente el desarrollo uniforme de la capa epitaxial.

1. fijación y alineación precisaUn titular de obleas EPI de ingeniería de alta precisión coloca firmemente la oblea en el centro geométrico de la cámara de reacción. Esta colocación garantiza que la superficie de la oblea forma un ángulo de contacto ideal con el flujo de gas de reacción. La alineación precisa no solo es esencial para lograr una deposición uniforme de la capa epitaxial, sino que también reduce significativamente la concentración de estrés resultante de la desviación de la posición de la oblea.

2. Calentamiento uniforme y control de campo térmicoAprovechando la excelente conductividad térmica del material SIC, el soporte de oblea EPI permite una transferencia de calor eficiente a la oblea en entornos epitaxiales de alta temperatura. Simultáneamente, ejerce un control fino sobre la distribución de temperatura del sistema de calefacción. Este mecanismo dual garantiza una temperatura consistente en toda la superficie de la oblea, eliminando efectivamente el estrés térmico causado por gradientes de temperatura excesivos. Como resultado, la probabilidad de defectos como la deformación y las grietas de la oblea se minimiza considerablemente.

3. Control de contaminación de partículas y pureza de materialEl uso de sustratos SIC de alta pureza y materiales de grafito recubiertos con CVD es un juego de cambio en el control de contaminación de partículas. Estos materiales reducen sustancialmente la generación y la difusión de partículas durante el proceso de epitaxia, proporcionando un entorno prístino para el crecimiento de la capa epitaxial. Al reducir los defectos de la interfaz, mejoran la calidad y la confiabilidad de la capa epitaxial.

4. Resistencia a la corrosiónDurante elMocvdo procesos LPCVD, el soporte de oblea EPI debe soportar gases corrosivos como amoníaco y galio trimetilo. La excelente resistencia a la corrosión de los materiales SIC permite al titular tener una vida útil prolongada, garantizando así la confiabilidad de todo el proceso de producción.

Servicios personalizados por Vetek Semiconductor

Vetek Semiconductor está comprometido a satisfacer diversas necesidades de los clientes. Ofrecemos servicios de soporte de obleas EPI personalizados adaptados a varios tamaños de obleas, incluidos 100 mm, 150 mm, 200 mm, 300 mm y más. Nuestro equipo de expertos se dedica a ofrecer productos de alta calidad que coincidan con precisión sus requisitos. Esperamos sinceramente convertirnos en su socio a largo plazo en China, proporcionándole soluciones de semiconductores de primera categoría.

Datos de SEM de estructura cristalina de película SIC CVD:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD：

Comparación de semiconductores EPI Productores de productores de obleas: