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Susceptor de grafito recubierto de SiC CVD para portador de oblea
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Susceptor de grafito recubierto de SiC CVD para portador de oblea

El susceptor de grafito recubierto de SiC CVD VETEK para portador de obleas es un componente de soporte de obleas de alto rendimiento diseñado para procesos de epitaxia de semiconductores. El producto utiliza grafito de alta pureza como sustrato y está recubierto con una capa uniforme de carburo de silicio (SiC) CVD, lo que proporciona una excelente estabilidad térmica, resistencia química y control de partículas. Como componente crítico susceptor de grafito, soporta directamente las obleas dentro de la cámara de reacción y ayuda a mantener una distribución uniforme de la temperatura y condiciones estables de crecimiento epitaxial.

1. Ventajas del producto


  • Material de alta pureza:El material de grafito de grado semiconductor y la estructura densa del recubrimiento de SiC minimizan los riesgos de contaminación y mejoran la confiabilidad del susceptor de grafito recubierto de SiC CVD.
  • Excelente uniformidad térmica:La estructura de grafito optimizada y el recubrimiento de SiC proporcionan una transferencia de calor estable y un control uniforme de la temperatura de la oblea.
  • Resistencia química superior:El denso revestimiento de SiC ofrece una fuerte resistencia contra gases de proceso y entornos corrosivos.
  • Larga vida útil:La alta dureza y resistencia al desgaste mejoran la durabilidad en condiciones de epitaxia de alta temperatura.
  • Baja generación de partículas:La densa superficie CVD SiC reduce la liberación de partículas y mejora la confiabilidad del proceso de obleas.
  • Capacidad de diseño personalizado:Disponibles en diferentes tamaños, estructuras y configuraciones según los requerimientos del equipo.



2. Especificaciones técnicas

Artículo
Valor típico
Material de sustrato
Grafito de alta pureza
Material de revestimiento
Carburo de silicio CVD (SiC)
Pureza del SiC
≥99,999%
Espesor del recubrimiento
100 ± 20 μm (personalizable)
Uniformidad del espesor del recubrimiento
Controlado dentro de 10 μm entre lotes
Densidad del recubrimiento CVD SiC
3,21 g/cm³
Conductividad térmica
300 W/m·K
Coeficiente de expansión térmica
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Aplicaciones


  • Proceso de epitaxia de SiC:El susceptor de grafito se utiliza como portador de oblea en equipos de epitaxia de SiC, soportando sustratos de SiC durante el crecimiento epitaxial a alta temperatura.
  • Proceso de epitaxia de silicio:Aplicado en reactores epitaxiales de silicio para soportar obleas y mantener condiciones térmicas estables.
  • Epitaxia MOCVD:Los susceptores de grafito VETEK son adecuados para MOCVD, epitaxia LED, epitaxia GaN, epitaxia de silicio y otros procesos de fabricación de semiconductores que requieren excelente uniformidad térmica y estabilidad química.
  • Equipos de fabricación de semiconductores:Compatible con varias plataformas de epitaxia, incluidos hornos horizontales LPE, Aixtron, NuFlare y equipos semiconductores relacionados.



4. ¿Por qué elegir VETEK?

VETEK ofrece soluciones personalizadas de susceptor de grafito recubierto de CVD SiC que integran capacidades de purificación de grafito, mecanizado de precisión, recubrimiento CVD y inspección. Nuestros productos susceptores de grafito de grado semiconductor presentan alta pureza, espesor de recubrimiento uniforme, excelente rendimiento térmico y larga vida útil para aplicaciones exigentes de portadores de obleas.

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