Soporte de grafito recubierto de TAC

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El punto de fusión del material cerámico de carburo de tantalio de hasta 3880 ℃, es un alto punto de fusión y una buena estabilidad química del compuesto, su ambiente de alta temperatura aún puede mantener un rendimiento estable, además, también tiene resistencia a altas temperaturas, resistencia a la corrosión química, buena química. y compatibilidad mecánica con materiales de carbono y otras características, lo que lo convierte en un material de revestimiento protector de sustrato de grafito ideal. El recubrimiento de carburo de tantalio puede proteger eficazmente los componentes de grafito de la influencia del amoníaco caliente, el vapor de hidrógeno y silicio y el metal fundido en entornos de uso hostiles, extender significativamente la vida útil de los componentes de grafito e inhibir la migración de impurezas en el grafito. asegurando la calidad de la epitaxia y el crecimiento de cristales. Se utiliza principalmente en procesos cerámicos húmedos.

La deposición química de vapor (CVD) es el método de preparación más maduro y óptimo para el recubrimiento de carburo de tantalio sobre la superficie del grafito.

Método de recubrimiento CVD TAC para susceptor de grafito recubierto de TAC:

El proceso de recubrimiento utiliza TACL5 y propileno como fuente de carbono y fuente de tantalio respectivamente, y el argón como gas portador para llevar el vapor de pentacloruro tantalum en la cámara de reacción después de la gasificación de alta temperatura. Bajo la temperatura y presión objetivo, el vapor del material precursor se adsorbe en la superficie de la parte de grafito, y se producen una serie de reacciones químicas complejas como la descomposición y la combinación de la fuente de carbono y la fuente de tantalio. Al mismo tiempo, una serie de reacciones superficiales, como la difusión del precursor y la desorción de subproductos, también están involucradas. Finalmente, se forma una capa protectora densa en la superficie de la parte de grafito, lo que protege la parte de grafito de ser estable en condiciones ambientales extremas. Los escenarios de aplicación de los materiales de grafito se amplían significativamente.

Parámetro del producto del susceptor de grafito recubierto de TaC:

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Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores: