Anillo de enfoque de grabado en plasma

En el campo de la fabricación de obleas, el anillo de enfoque de Vetek Semiconductor juega un papel clave. No es solo un componente simple, sino que juega un papel vital en el proceso de grabado de plasma. Primero, el anillo de enfoque de Plasma Etchig está diseñado para garantizar que la oblea esté firmemente mantenida en la posición deseada, asegurando así la precisión y estabilidad del proceso de grabado. Al mantener la oblea en su lugar, el anillo de enfoque mantiene efectivamente la uniformidad de la densidad de plasma, que es esencial para el éxito delproceso de grabado.

Además, el anillo de enfoque también juega un papel importante en la prevención de la contaminación lateral de la oblea. La calidad y la pureza de las obleas son críticas para la fabricación de chips, por lo que se deben tomar todas las medidas necesarias para garantizar que las obleas permanezcan limpias durante todo el proceso de grabado. El anillo de enfoque evita efectivamente que las impurezas externas y los contaminantes ingresen a los lados de la superficie de la oblea, asegurando así la calidad y el rendimiento del producto final.

En el pasado,anillos de enfoqueestaban hechos principalmente de cuarzo y silicio. Sin embargo, con el aumento del grabado en seco en la fabricación avanzada de obleas, la demanda de anillos de enfoque hechas de carburo de silicio (SIC) también está aumentando. En comparación con los anillos de silicio puro, los anillos SIC son más duraderos y tienen una vida útil más larga, reduciendo así los costos de producción. Los anillos de silicio deben reemplazarse cada 10 a 12 días, mientras que los anillos SIC se reemplazan cada 15 a 20 días. En la actualidad, algunas grandes empresas como Samsung están estudiando el uso de cerámica de carburo de boro (B4C) en lugar de SIC. B4C tiene una dureza más alta, por lo que la unidad dura más.

En un equipo de grabado en plasma, la instalación de un anillo de enfoque es necesaria para el grabado en plasma de la superficie del sustrato en una base en un recipiente de tratamiento. El anillo de enfoque rodea el sustrato con una primera región en el lado interno de su superficie que tiene una pequeña rugosidad de la superficie promedio para evitar que los productos de reacción generados durante el grabado sean capturados y depositados. 

Al mismo tiempo, la segunda región fuera de la primera región tiene una gran rugosidad de la superficie promedio para alentar los productos de reacción generados durante el proceso de grabado a ser capturados y depositados. El límite entre la primera región y la segunda región es la parte donde la cantidad de grabado es relativamente significativa, equipada con un anillo de enfoque en el dispositivo de grabado de plasma, y ​​el grabado de plasma se realiza en el sustrato.

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