Sic recubierto de e-chuck

A medida que el nitruro de galio (GaN) se convierte en el material central del semiconductor de tercera generación, sus aplicaciones en los campos de alta frecuencia, alta potencia y optoelectrónica continúan expandiéndose, como estaciones de base de comunicación 5G, módulos de potencia y dispositivos LED. Sin embargo, en la fabricación de semiconductores, especialmente en el proceso de grabado, las obleas deben ser sometidas a altas temperaturas, un entorno de corrosión química alta y requisitos de proceso de precisión extremadamente altos, que presentaron estándares técnicos extremadamente altos para las herramientas de soporte de obleas.

Las paletas de cerámica SIC del semiconductor de Vetek están diseñadas para el grabado de obleas GaN y ofrecen alta pureza, excelente calor y resistencia química para apoyar su proceso de fabricación. Es adecuado para el proceso de grabado de plasma (ICP/RIE) y es una opción ideal en los equipos modernos de fabricación de semiconductores.

Fortalezas del núcleo

1. Material cerámico sic de alta pureza

Estabilidad química: la pureza del material es superior al 99.5%, y no hay contaminación en la oblea GaN.

Alta dureza y resistencia al desgaste: dureza cerca del diamante, capaz de soportar el uso de alta frecuencia, cambios invisibles y rasguños.

2. Excelente rendimiento térmico

Alta conductividad térmica, coeficiente de expansión térmica (CTE) de GaN: reduzca el riesgo de agrietamiento de la oblea en el proceso de grabado.

3. Resistencia a la corrosión súper química

Puede funcionar en alta concentración de fluoruro, cloruro y otro entorno de gas corrosivo durante mucho tiempo.

4. Diseño de precisión y mecanizado

La rugosidad y la planitud de la superficie aseguran la colocación lisa de la oblea y la uniformidad de grabado para cumplir con los requisitos de proceso de alta precisión.

Las dimensiones, ranuras, agujeros fijos y otras estructuras se pueden personalizar de acuerdo con los requisitos del cliente.

Campo de la aplicación de chuck e-Chuck recubierta de SIC

● Grabado de plasma (ICP/RIE)

Proporciona fijación y soporte de obleas en una alta temperatura y un entorno de corrosión química alta, adecuada para el proceso de grabado de GaN, SIC y otros materiales.

● Transferencia y almacenamiento de obleas

Proporcione una plataforma altamente plana y sin contaminación para proteger la seguridad de la oblea en el proceso de fabricación.

Servicios personalizados

Es semiconductorofrece servicios personalizados para satisfacer sus necesidades de proceso específicas:

● Personalización de tamaño: El tamaño de la paleta se puede personalizar de acuerdo con el tamaño de la oblea (Ø4 ~ 12 pulgadas).

● Optimización de la estructura: Groove de soporte, orificio de posicionamiento, punto fijo y otra personalización de la estructura.

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