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Susceptor de epitaxia LED
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Susceptor de epitaxia LED

El susceptor de epitaxia LED de VeTek Semiconductor está diseñado para la fabricación epitaxial de LED azules y verdes. Combina recubrimiento de carburo de silicio y grafito SGL y tiene alta dureza, baja rugosidad, buena estabilidad térmica y excelente estabilidad química. El susceptor de epitaxia LED es uno de los productos más destacados de VeTek Semiconductor. Esperamos su consulta.

En el campo de la fabricación de LED azules y verdes, el susceptor de epitaxia LED, como uno de los mejores productos del mercado actual, demuestra las sólidas capacidades de fabricación de VeTek Semiconductor. Combinando el excelente desempeño derecubrimiento de carburo de silicioCon las excelentes características del grafito SGL, este Susceptor brinda un soporte incomparable para el crecimiento epitaxial de LED, ayudando a las empresas de LED a destacarse en la feroz competencia del mercado.


Ventajas del material central


(I) Recubrimiento de carburo de silicio

El recubrimiento de carburo de silicio le da al susceptor de epitaxia LED una excelente dureza superficial, lo que le permite resistir diversos desgastes físicos y rayones durante el crecimiento epitaxial del LED. Mantener la planitud y suavidad de la superficie durante mucho tiempo garantiza que la uniformidad del crecimiento de la capa epitaxial no se vea afectada, mejorando efectivamente el rendimiento y la consistencia del producto. Reduciendo así la formación de defectos cristalinos y mejorando significativamente la eficiencia luminosa y el rendimiento eléctrico de los LED azules y verdes. Al mismo tiempo, elrecubrimiento de carburo de silicioTiene una excelente estabilidad química. No reacciona con los reactivos químicos del equipo MOCVD, evitando la introducción de impurezas y corrosión del recubrimiento.


(II) Grafito SGL

Semiconductores VeTekutiliza grafito SGL como sustrato. Durante el crecimiento epitaxial de los LED azules y verdes, el grafito SGL puede conducir rápidamente el calor generado por la reacción, reduciendo efectivamente el gradiente de temperatura del Susceptor y asegurando la uniformidad de temperatura de toda el área de crecimiento. Esto ayuda a reducir los defectos del cristal causados ​​por el estrés térmico y a mejorar la calidad del cristal y la confiabilidad de los chips LED.


El buen rendimiento de procesamiento del grafito SGL permite que el Susceptor se procese con precisión en varias formas y tamaños complejos para satisfacer las necesidades de diferentes tipos de equipos MOCVD y procesos de fabricación de LED.


Indicadores técnicos de rendimiento del recubrimiento de SiC.


Indicadores técnicos de rendimiento del recubrimiento de SiC.
Propiedad
Valor típico
Estructura cristalina
FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad del recubrimiento
3,21 g/cm³
Dureza del recubrimiento de SiC
Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano
2~10μm
Pureza química
99,99995%
Capacidad calorífica del revestimiento de SiC
640 J·kg-1·k-1
Temperatura de sublimación
2700 ℃
Resistencia a la flexión
415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young
Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica
300W·m-1·k-1
Expansión Térmica (CTE)
4,5×10-6K-1

Semiconductores VeTekcuenta con un equipo técnico profesional que puede brindar a los clientes una gama completa de servicios de consultoría técnica para susceptores de epitaxia LED. Ya sea el principio y las características del producto, o la optimización del proceso y la resolución de problemas en aplicaciones reales, nuestros expertos pueden brindar orientación detallada y profesional para mejorar el nivel técnico y la capacidad de producción de los clientes.


DATOS SEM DE LA PELÍCULA DE RECUBRIMIENTO CVD SIC

SEM DATA OF CVD SIC COATING FILM


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