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Anillo de grafito de alta pureza

Anillo de grafito de alta pureza

El anillo de grafito de alta pureza es adecuado para los procesos de crecimiento epitaxial GaN. Su excelente estabilidad y rendimiento superior los han hecho ampliamente utilizados. El semiconductor Vetek produce y fabrica un anillo de grafito de alta pureza líder mundial para ayudar a la industria de la epitaxia Gaan a continuar progresando. Veteksemi espera convertirse en su socio en China.


Simple diagram of GaN epitaxial growthEl proceso deGaN epitaxialEl crecimiento se lleva a cabo en un entorno corrosivo de alta temperatura. La zona caliente del horno de crecimiento epitaxial GaN generalmente está equipado con piezas de grafito de alta pureza resistentes al calor y resistentes a la corrosión, como calentadores, crisoles, electrodos de grafito, soportes de crisolas, tuercas de electrodos, etc. El sello de anillo de grafito es una de las partes importantes.


El anillo de grafito de alta puridad de Vetek Semiconductor está hecho de grafito puro con una pureza extremadamente alta, y el contenido de cenizas del producto terminado puede ser <5ppm.

Y los anillos de grafito tienen las características de alta resistencia a la temperatura y resistencia a la corrosión, buena conductividad eléctrica y térmica, estabilidad química y resistencia al choque térmico, lo que los hace adecuados para su uso en hornos de crecimiento epitaxial de GaN.


Los anillos de grafito de alta pureza de Vetek Semiconductor están hechos del grafito de la más alta calidad, con un rendimiento estable y una larga vida útil. Si necesita realizar un crecimiento epitaxial GaN, nuestros anillos de grafito de alta pureza son la mejor opción de piezas de grafito.


Vetek Semiconductor puede proporcionar a los clientes productos altamente personalizados, ya sea del tamaño o material del anillo, puede cumplir con los diversos requisitos de los clientes. Estamos esperando su consulta en cualquier momento.


Datos de material del grafito SGL 6510


Propiedades típicas
Unidades
Estándares de prueba
Valores
Tamaño promedio de grano
μm
ISO 13320
10
Densidad masiva
g/centímetro3
De IEC 60413/204
1.83
Porosidad abierta
Vol.%
De 66133
10
Diámetro de entrada de poro medio
μm
De 66133
1.8
Coeficiente de permeabilidad (temperatura ambiente)
centímetro2/s
De 51935
0.06
Dureza de Rockwell HR5/100
 \ De IEC 60413/303
90
Resistividad
μΩm
De IEC 60413/402
13
Resistencia a la flexión
MPA
De IEC 60413/501
60
Resistencia a la compresión
MPA
Del 51910
130
Módulo dinámico de elasticit
MPA
De 51915
11.5 x 103
Expansión térmica (20-200 ℃)
K-1
De 51909
4.2x10-6
Conductividad térmica(20 ℃)
WM-1K-1
De 51908
105
Contenido de cenizas
PPM
De 51903
\

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