Bandeja de transportista de obleas

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Vetek semiconductor proporciona principalmente piezas de grafito con recubrimiento CVD SiC, como bandejas portadoras de obleas para equipos semiconductores SiC-CVD de tercera generación, y se dedica a proporcionar equipos de producción avanzados y competitivos para la industria. El equipo SiC-CVD se utiliza para el crecimiento de una capa epitaxial de película delgada homogénea de un solo cristal sobre un sustrato de carburo de silicio, la lámina epitaxial de SiC se usa principalmente para fabricar dispositivos de energía como diodos Schottky, IGBT, MOSFET y otros dispositivos electrónicos.

El equipo combina de cerca el proceso y el equipo. El equipo SIC-CVD tiene ventajas obvias en la alta capacidad de producción, compatibilidad de 6/8 pulgadas, costo competitivo, control de crecimiento automático continuo para múltiples hornos, baja velocidad de defectos, conveniencia de mantenimiento y confiabilidad a través del diseño del control de campo de temperatura y el control de campo de flujo. Combinado con la bandeja portadora de obleas recubiertas de SIC proporcionada por nuestro semiconductor Vetek, puede mejorar la eficiencia de producción del equipo, extender la vida y controlar el costo.

La bandeja portadora de obleas de Vetek Semiconductor tiene principalmente alta pureza, buena estabilidad del grafito, alta precisión de procesamiento, además de recubrimiento CVD SiC y estabilidad a altas temperaturas: los recubrimientos de carburo de silicio tienen una excelente estabilidad a altas temperaturas y protegen el sustrato del calor y la corrosión química en ambientes con temperaturas extremadamente altas. .

Dureza y resistencia al desgaste: los recubrimientos de carburo de silicio suelen tener una dureza elevada, proporcionando una excelente resistencia al desgaste y alargando la vida útil del sustrato.

Resistencia a la corrosión: el recubrimiento de carburo de silicio es resistente a la corrosión de muchos productos químicos y puede proteger el sustrato de daños por corrosión.

Coeficiente reducido de fricción: los recubrimientos de silicio-carburo generalmente tienen un bajo coeficiente de fricción, lo que puede reducir las pérdidas por fricción y mejorar la eficiencia de trabajo de los componentes.

Conductividad térmica: el recubrimiento de carburo de silicio generalmente tiene una buena conductividad térmica, lo que puede ayudar al sustrato a dispersar mejor el calor y mejorar el efecto de disipación de calor de los componentes.

En general, el recubrimiento de carburo de silicio CVD puede proporcionar protección múltiple para el sustrato, extender su vida útil y mejorar su rendimiento.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD:

Tiendas de producción:

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores: