Veeco Mocvd Providence

Es semiconductorVeeco mocvdEl susceptor de la oblea es un componente crítico, diseñado meticulosamente con grafito ultrapure con unrecubrimiento de carburo de silicio (sic). EsteRecubrimiento sicProporciona numerosos beneficios, especialmente permitiendo una transferencia térmica eficiente al sustrato. Lograr una distribución térmica óptima a través del sustrato es esencial para un control de temperatura uniforme, lo que garantiza una deposición de película delgada consistente y de alta calidad, que es crucial en la fabricación de dispositivos semiconductores.

Parámetros técnicos

Matriz de propiedades del material

Indicadores clave Vetek estándar soluciones tradicionales

Pureza del material base 6n Grafito isostático 5n Grafito moldeado

Grado de coincidencia de CTE (25-1400 ℃) Δα ≤0.3 × 10⁻⁶/ k Δα ≥1.2 × 10⁻⁶/ k

Conductividad térmica @800 ℃ 110 W/m · K 85 W/M · K

Rugosidad de la superficie (RA) ≤0.1 μm ≥0.5 μm

Tolerancia ácida (pH = 1@80 ℃) 1500 ciclos 300 ciclos

Reconstrucción de ventaja central

Innovación de gestión térmica

Técnica de coincidencia atómica de CTE

Japón Toyo Carbon Graphite/SGL sustrato + recubrimiento SIC gradiente

El estrés del ciclo térmico se redujo en un 82% (medido 1400 ℃↔RT 500 ciclos sin grietas)

Diseño inteligente de campo térmico

Estructura de compensación de temperatura de 12 zonas: logra ± 0.5 ℃ Uniformidad en la superficie de la oblea de φ200 mm

Respuesta térmica dinámica: gradiente de temperatura ≤1.2 ℃/cm a la velocidad de calentamiento de 5 ℃/s

Sistema de protección química
Barrera compuesta triple

Capa protectora principal de 50 μm de sic principal

Capa de transición de nanotac (opcional)

Densificación de infiltración de fase gaseosa

Verificado por ASTM G31-21:

Tasa de corrosión base de CL <0.003 mm/año

NH3 expuesto por 1000 h sin corrosión de límite de grano

Sistema de fabricación inteligente

Procesamiento gemelo digital

Centro de mecanizado de cinco ejes: precisión de posición ± 1.5 μm

Inspección en línea de escaneo 3D: verificación 100% de tamaño completo (de acuerdo con ASME Y14.5)

Presentación de valor basada en escenarios

Producción en masa de semiconductores de tercera generación

Parámetros del proceso de escenario de aplicación Beneficios del cliente

GaN HEMT 6 pulgadas /150 μM Fluctuación de densidad de gases electrones bidimensional epitaxial <2%

SIC MOSFET C Doping Uniformity ± 3% La desviación de voltaje de umbral se reduce en un 40%

La uniformidad de longitud de onda de micro LED ± 1.2 nm la tasa de contenedor de chip aumentó en un 15%

Optimización de costos de mantenimiento

El período de limpieza se extiende 3 veces: HF: HNO ₃ = 1: 3 Se admite la limpieza de alta intensidad

Sistema de predicción de la vida de repuestos: precisión del algoritmo de IA de ± 5%

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