Anillo guía recubierto de carburo tantalum

El crecimiento cristalino de carbonos semiconductores (SIC) de semiconductores de tercera generación requiere altas temperaturas (2000-2200 ° C) y ocurre en pequeñas cámaras con atmósferas complejas que contienen componentes de vapor Si, C, SIC. Los volátiles y partículas de grafito a altas temperaturas pueden afectar la calidad del cristal, lo que lleva a defectos como las inclusiones de carbono. Mientras que los crisoles de grafito con recubrimientos SIC son comunes en el crecimiento epitaxial, para la homoepitaxia de carburo de silicio a alrededor de 1600 ° C, SIC puede sufrir transiciones de fase, perdiendo sus propiedades protectoras sobre el grafito. Para mitigar estos problemas, un recubrimiento de carburo tantálio es efectivo. El carburo de tantalum, con un alto punto de fusión (3880 ° C), es el único material que mantiene buenas propiedades mecánicas por encima de 3000 ° C, que ofrece una excelente resistencia química de alta temperatura, resistencia a la oxidación de erosión y propiedades mecánicas de alta temperatura superiores.

En el proceso de crecimiento de cristal SIC, el principal método de preparación del cristal único SIC es el método PVT. Bajo condiciones de baja presión y temperatura alta, el polvo de carburo de silicio con mayor tamaño de partícula (> 200 μm) se descompone y sublima en varias sustancias de fase gaseosa, que se transportan al cristal de semillas con una temperatura más baja bajo el gradiente de temperatura y reaccionamiento y depósito, y y, y y, y Recristalice en cristal único de carburo de silicio. En este proceso, el anillo guía recubierto de carburo tantalum juega un papel importante para garantizar que el flujo de gas entre el área de origen y el área de crecimiento sea estable y uniforme, mejorando así la calidad del crecimiento de los cristales y reduciendo el impacto del flujo de aire desigual.

El papel del anillo de guía recubierto de carburo tantalum en el método PVT Sic Crecimiento de un solo cristal

● Orientación y distribución de flujo de aire

La función principal del anillo de guía de recubrimiento TAC es controlar el flujo de gas fuente y garantizar que el flujo de gas se distribuya uniformemente en todo el área de crecimiento. Al optimizar la ruta del flujo de aire, puede ayudar al gas a depositarse de manera más uniforme en el área de crecimiento, asegurando así un crecimiento más uniforme del cristal único y los defectos reductores causados ​​por el flujo de aire desigual. El uniforme del flujo de gas es un factor crítico para el factor crítico para el factor crítico para el Calidad de cristal.

● Control de gradiente de temperatura

En el proceso de crecimiento del cristal único SIC, el gradiente de temperatura es muy crítico. El anillo de la guía de recubrimiento de TAC puede ayudar a regular el flujo de gas en el área de origen y el área de crecimiento, lo que afecta indirectamente la distribución de la temperatura. El flujo de aire estable ayuda a la uniformidad del campo de temperatura, mejorando así la calidad del cristal.

●  Mejorar la eficiencia de la transmisión de gas

Dado que el crecimiento del monocristal de SiC requiere un control preciso de la evaporación y deposición del material fuente, el diseño del anillo guía de recubrimiento de TaC puede optimizar la eficiencia de la transmisión de gas, permitiendo que el gas del material fuente fluya de manera más eficiente hacia el área de crecimiento, mejorando el crecimiento. Velocidad y calidad del monocristal.

El anillo de guía recubierto de carburo tantalum del semiconductor de Vetek está compuesto por el recubrimiento de grafito y TAC de alta calidad. Tiene una larga vida útil con una fuerte resistencia a la corrosión, una fuerte resistencia a la oxidación y una fuerte resistencia mecánica. El equipo técnico de Vetek Semiconductor puede ayudarlo a lograr la solución técnica más efectiva. No importa cuáles sean sus necesidades, Vetek Semiconductor puede proporcionar los productos personalizados correspondientes y esperar su consulta.

Propiedades físicas del recubrimiento TAC

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