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Epi de oblea de una sola oblea Graphite Undertaker
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Epi de oblea de una sola oblea Graphite Undertaker

El susceptor de grafito de Epi de obleas de Veteksemicon está diseñado para carburo de silicio de alto rendimiento (sic), nitruro de galio (GaN) y otro proceso epitaxial semiconductor de tercera generación, y es el componente de soporte central de la hoja epitaxial de alta precisión en la producción de masas.

Descripción:

El susceptor de grafito de EPI de una sola oblea incluye un conjunto de bandeja de grafito, anillo de grafito y otros accesorios, utilizando una estructura compuesta de recubrimiento de carburo de carburo de silicio de grafito de alta pureza, teniendo en cuenta la estabilidad de alta temperatura, inercia química y uniformidad del campo térmico. Es el componente de rodamiento de núcleo de la hoja epitaxial de alta precisión en la producción en masa.


Innovación de materiales: grafito +recubrimiento SIC


Grafito

● Conductividad térmica ultra alta (> 130 w/m · k), respuesta rápida a los requisitos de control de temperatura, para garantizar la estabilidad del proceso.

● Coeficiente de expansión térmica baja (CTE: 4.6 × 10⁻⁶/° C), reduce la deformación de alta temperatura, prolonga la vida útil.


Propiedades físicas del grafito isostático
Propiedad
Unidad
Valor típico
Densidad masiva
g/cm³
1.83
Dureza
HSD
58
Resistividad eléctrica
μΩ.M
10
Resistencia a la flexión
MPA
47
Resistencia a la compresión
MPA
103
Resistencia a la tracción
MPA
31
Módulo de Young GPA
11.8
Expansión térmica (CTE)
10-6K-1
4.6
Conductividad térmica
W · m-1· K-1
130
Tamaño promedio de grano
μm
8-10


Recubrimiento sic cvd

Resistencia a la corrosión. Resistir el ataque por gases de reacción como H₂, HCl y Sih₄. Evita la contaminación de la capa epitaxial mediante la volatilización del material base.

Densificación de la superficie: La porosidad de recubrimiento es inferior al 0.1%, lo que evita el contacto entre el grafito y la oblea y evita la difusión de las impurezas de carbono.

Tolerancia a alta temperatura: Trabajo estable a largo plazo en el medio ambiente superior a 1600 ° C, se adapte a la alta demanda de temperatura de la epitaxia SIC.


Propiedades físicas básicas del recubrimiento SIC CVD
Propiedad
Valor típico
Estructura cristalina
Policristalina de fase β FCC, principalmente (111) orientada
Densidad
3.21 g/cm³
Dureza
2500 Vickers Dureza (500 g de carga)
Tamaño de grano
2 ~ 10 mm
Pureza química
99.99995%
Capacidad de calor
640 j · kg-1· K-1
Temperatura de sublimación
2700 ℃
Resistencia a la flexión
415 MPA RT 4 puntos
Módulo de Young
430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Conductividad térmica
300W · m-1· K-1
Expansión térmica (CTE)
4.5 × 10-6K-1

Diseño de optimización de campo térmico y flujo de aire


Estructura de radiación térmica uniforme

La superficie del susceptor está diseñada con múltiples ranuras de reflexión térmica, y el sistema de control de campo térmico del dispositivo ASM logra uniformidad de temperatura dentro de ± 1.5 ° C (oblea de 6 pulgadas, oblea de 8 pulgadas), lo que garantiza la consistencia y la uniformidad del espesor de la capa epitaxial (fluctuación <3%).

Wafer epitaxial susceptor


Técnica de dirección aérea

Los orificios de desvío de borde y las columnas de soporte inclinadas están diseñados para optimizar la distribución del flujo laminar del gas de reacción en la superficie de la oblea, reducir la diferencia en la tasa de deposición causada por las corrientes de remolino y mejorar la uniformidad de dopaje.

epi graphite susceptor


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