Cabezal de ducha de carburo de silicio

El cabezal de ducha de carburo de silicio de semiconductores vetek está hecho principalmente de SIC. En el procesamiento de semiconductores, la función principal del cabezal de ducha de carburo de silicio es distribuir uniformemente el gas de reacción para garantizar la formación de una película uniforme duranteDeposición de vapor químico (CVD)oDeposición de vapor físico (PVD)procesos. Debido a las excelentes propiedades de la SiC, como la alta conductividad térmica y la estabilidad química, la cabeza de la ducha SIC puede funcionar de manera eficiente a altas temperaturas, reducir la desigualidad del flujo de gas durante elproceso de deposicióny así mejorar la calidad de la capa de película.

El cabezal de ducha de carburo de silicio puede distribuir uniformemente el gas de reacción a través de múltiples boquillas con la misma abertura, garantizar un flujo de gas uniforme, evitar concentraciones locales que sean demasiado altas o demasiado bajas y, por lo tanto, mejoren la calidad de la película. Combinado con la excelente resistencia de alta temperatura y estabilidad química deCVD sic, no se liberan partículas ni contaminantes durante elproceso de deposición de películas, que es fundamental para mantener la pureza de la deposición de la película.

Matriz de rendimiento del núcleo

Indicadores clave Especificaciones técnicas Normas de prueba

Material base 6N Deposición de vapor químico de grado Semi F47-0703 Semi F47-0703

Conductividad térmica (25 ℃) 330 w/(m · k) ± 5%ASTM E1461

Rango de temperatura de funcionamiento -196 ℃ ~ 1650 ℃ Estabilidad del ciclo MIL-STD-883 Método

Precisión de mecanizado de apertura ± 0.005 mm (tecnología de mecanizado de microholes láser) ISO 286-2

Rugosidad de la superficie RA ≤0.05 μm (tratamiento de grado espejo) JIS B 0601: 2013

Ventaja de innovación de procesos triples

Control de flujo de aire a nanoescala

Diseño de la matriz de 1080 agujeros: adopta una estructura de panal asimétrica para lograr uniformidad de distribución de gases 95.7% (datos medidos)

Tecnología de apertura de gradiente: anillo exterior de 0.35 mm → 0.2 mm de diseño progresivo central, eliminando el efecto de borde

Protección de depósito de contaminación cero

Tratamiento de superficie ultra limpia:

El grabado del haz de iones elimina la capa dañada del subsuelo

Deposición de la capa atómica (ALD) Al₂o₃ Película protectora (opcional)

Estabilidad mecánica térmica

Coeficiente de deformación térmica: ≤0.8 μm/m · ℃ (73% más bajo que los materiales tradicionales)

Pasó 3000 pruebas de choque térmico (RT↔1450 ℃ Ciclo)

Datos de SEM deEstructura cristalina de película sic cvd：

Propiedades físicas básicas de CVD Recubrimiento sic：

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