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Anillo de enfoque de grabado de SiC sólido
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Anillo de enfoque de grabado de SiC sólido

El anillo de enfoque de grabado SIC sólido es uno de los componentes centrales del proceso de grabado de la oblea, que juega un papel en la fijación de la oblea, enfoque el plasma y la mejora de la uniformidad de grabado de la oblea. Como el principal fabricante de anillos de enfoque SIC en China, Vetek Semiconductor tiene tecnología avanzada y procesos maduros, y fabrica un anillo de enfoque de grabado SIC sólido que satisface completamente las necesidades de los clientes finales de acuerdo con los requisitos del cliente. Esperamos con ansias su consulta y convirtiéndonos en los socios a largo plazo del otro.

VeTek Semiconductor ha logrado grandes avances en la tecnología CVD Solid SiC y ahora puede producir un anillo de enfoque y grabado de Solid SiC con un nivel líder en el mundo. El anillo de enfoque de grabado de SiC sólido de VeTek Semiconductor es un producto de material de carburo de silicio de pureza ultraalta creado mediante el proceso de deposición química de vapor.

El anillo de enfoque de grabado SIC sólido se utiliza en los procesos de fabricación de semiconductores, particularmente en los sistemas de grabado en plasma. El anillo de enfoque SIC es un componente crucial que ayuda a lograr el grabado preciso y controlado de las obleas de carburo de silicio (SIC).


Durante el proceso de grabado con plasma, el anillo de enfoque desempeña múltiples funciones, como las siguientes:

● Enfocando el plasma: El sólido anillo de enfoque de grabado de SiC ayuda a dar forma y concentrar el plasma alrededor de la oblea, asegurando que el proceso de grabado se produzca de manera uniforme y eficiente. Ayuda a confinar el plasma en el área deseada, evitando grabados perdidos o daños en las regiones circundantes.

●  Proteger las paredes de la cámara: El anillo de enfoque actúa como una barrera entre el plasma y las paredes de la cámara, evitando el contacto directo y posibles daños. El SiC es altamente resistente a la erosión por plasma y proporciona una excelente protección para las paredes de la cámara.

●  Tcontrol de temperatura: El anillo de enfoque sic ayuda a mantener una distribución uniforme de la temperatura en toda la oblea durante el proceso de grabado. Ayuda a disipar el calor y previene el sobrecalentamiento localizado o gradientes térmicos que podrían afectar los resultados del grabado.


Solid SiC Etching Focusing Ring in Plasma Etching Equipment


Se elige SiC sólido para los anillos de enfoque debido a su excelente estabilidad térmica y química, alta resistencia mecánica y resistencia a la erosión por plasma. Estas propiedades hacen del SiC un material adecuado para las duras y exigentes condiciones internas de los sistemas de grabado por plasma.


Vale la pena señalar que el diseño y las especificaciones de los anillos de enfoque pueden variar según el sistema de grabado de plasma específico y los requisitos de proceso. El semiconductor Vetek optimiza la forma, las dimensiones y las características de la superficie de los anillos de enfoque para garantizar un rendimiento óptimo de grabado y la longevidad. El SIC sólido se usa ampliamente para portadores de obleas, susceptores, oblea ficticia, anillos de guía, piezas para el proceso de grabado, proceso de CVD, etc.


Parámetro del producto del anillo de enfoque de grabado de SiC sólido


Propiedades físicas de sic sic
Densidad 3.21 gramos/cm3
Resistividad de la electricidad 102 Ω/cm
Resistencia a la flexión 590 MPA (6000 kgf/cm2)
Módulo de Young 450 GPA (6000 kgf/mm2)
Dureza de Vickers 26 GPA (2650kgf/mm2)
C.T.E. (RT-1000 ℃) 4.0 x10-6/K
Conductividad térmica (RT) 250 W/mk


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