Portavasos de recubrimiento de carburo de silicio

El soporte de oblea de recubrimiento de carburo de silicio (SIC) es un componente esencial en la fabricación de semiconductores, específicamente diseñado para procesos ultra limpios, de alta temperatura, como MOCVD (deposición de vapor químico orgánico de metal), LPCVD, PECVD y recnealización térmica. Integrando un denso y uniformeRecubrimiento sic cvdEn un robusto sustrato de grafito o cerámica, este portador de obleas garantiza tanto la estabilidad mecánica como la inercia química en entornos hostiles.

Ⅰ. Función central en el procesamiento de semiconductores

En la fabricación de semiconductores, los titulares de obleas desempeñan un papel fundamental para garantizar que las obleas estén de forma segura, uniformemente calentadas y protegidas durante la deposición o el tratamiento térmico. El recubrimiento SIC proporciona una barrera inerte entre el sustrato base y el entorno del proceso, minimizando de manera efectiva la contaminación y la desgasificación de las partículas, que son fundamentales para lograr un alto rendimiento y confiabilidad del dispositivo.

Las aplicaciones clave incluyen:

● Crecimiento epitaxial (SIC, GaN, Capas de GaAs)

● Oxidación y difusión térmica

● Recocido a alta temperatura (> 1200 ° C)

● Transferencia y soporte de obleas durante los procesos de vacío y plasma

Ⅱ. Características físicas superiores

Estos parámetros demuestran la capacidad del soporte de la oblea para mantener la estabilidad de rendimiento incluso en rigurosos ciclos de proceso, lo que lo hace ideal para la fabricación de dispositivos de próxima generación.

Ⅲ. Flujo de trabajo de procesos: escenario de aplicación paso a paso

TomemosMocvd EpitaxyComo un escenario de proceso típico para ilustrar el uso:

1. Colocación de obleas: La oblea de silicio, GaN o SIC se coloca suavemente en el susceptor de obleas recubiertas de SIC.

2. Calentamiento de la cámara: La cámara se calienta rápidamente a altas temperaturas (~ 1000–1600 ° C). El recubrimiento SIC garantiza una conducción térmica eficiente y estabilidad de la superficie.

3. Introducción precursora: Los precursores de metal-orgánicos fluyen hacia la cámara. El recubrimiento SIC resiste los ataques químicos y evita que la falta del sustrato.

4. Crecimiento de la capa epitaxial: Las capas uniformes se depositan sin contaminación o disto térmicoRtion, gracias a la excelente planitud y la inercia química del soporte.

5. Enfriar y extracción: Después del procesamiento, el titular permite la transición térmica segura y la recuperación de la oblea sin desprendimiento de partículas.

Al mantener la estabilidad dimensional, la pureza química y la resistencia mecánica, el susceptor de obleas de recubrimiento SIC mejora significativamente el rendimiento del proceso y reduce el tiempo de inactividad de la herramienta.

Estructura cristalina de película SIC CVD:

Almacenador de productos Veteksemicon: