Anillo de borde sic

En el campo de la fabricación de semiconductores, los anillos de bordes SIC, como componentes centrales de los equipos de procesamiento de obleas, están revolucionando el panorama industrial con sus propiedades de materiales. El valor de este componente de precisión hecho de cristales individuales de carburo de silicio se encuentra no solo en su contenido de alta tecnología, sino también en la mejora significativa en el rendimiento y la optimización de los costos operativos que puede aportar a los fabricantes de chips.

Características estructurales del anillo de borde sic

Los anillos de borde de carburo de silicio son componentes consumibles clave en los equipos de grabado de semiconductores y están hechos de materiales de carburo de silicio de alta pureza preparados por el método de deposición de vapor químico (CVD). El diámetro de su estructura anular suele ser de 200-450 mm, y el grosor se controla dentro de 5-15 mm, con las siguientes características:

1. Tolerancia al Extrema: puede soportar un entorno de alta temperatura de 1500 ℃

2. Estabilidad en plasma: constante dieléctrica 9.7, voltaje de descomposición 3mV/cm

3. Precisión geométrica: error de redondez ≤0.05 mm, rugosidad de la superficie RA <0.2μm

Avance en el proceso de fabricación

El proceso de preparación moderno adopta un método de tres etapas:

1. Formación de matriz: la formación de presión isostática asegura una densidad uniforme

2. Sinterización de alta temperatura: tratamiento de densificación en una atmósfera inerte a 2100 ℃

3. Modificación de la superficie: las capas protectoras a nanoescala se forman a través del grabado de iones reactivos (RIE). La última investigación muestra que la vida útil de los anillos de borde de carburo de silicio dopado con 3% de boro aumenta en un 40%, y la tasa de contaminación de la oblea se reduce al nivel de 0.01ppm

Escenarios de aplicación

Muestra la insuficiencia en los procesos por debajo de 5 nm:

2. Uniformidad de grabado: puede mantener una desviación de la tasa de grabado de ± 1.5% en el borde de la oblea

3. Control de la contaminación: reduce la contaminación del metal en un 92% en comparación con los materiales tradicionales de cuarzo

4. Ciclo de mantenimiento: puede funcionar continuamente durante 1500 horas en plasma CF4/O2

Veteksemicon ha logrado un avance en la producción nacional de anillos SIC Edge, lo que puede ahorrar muchos gastos de costos. ¡Bienvenido a contactarnos en cualquier momento!